[发明专利]化合物半导体器件及其制造方法无效
| 申请号： | 201310424757.9 | 申请日： | 2013-09-17 |
| 公开（公告）号： | CN103715250A | 公开（公告）日： | 2014-04-09 |
| 发明（设计）人： | 金村雅仁;吉木纯 | 申请（专利权）人： | 富士通株式会社;富士通半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/423;H01L29/49;H01L21/335;H01L21/285 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 顾晋伟;全万志 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供化合物半导体器件及其制造方法。栅电极形成在化合物半导体堆叠结构上，并且栅电极包括其中Al固溶于TaN中的TaN:Al层、由TAN和Al的化合物制成的TaAlN层、以及Al层的堆叠体。 | ||
| 搜索关键词： | 化合物 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种化合物半导体器件，包括:化合物半导体堆叠结构;以及形成在所述化合物半导体堆叠结构上方的电极，所述电极包括:具有第一低电阻金属的第一电极层;以及设置在所述化合物半导体堆叠结构和所述第一电极层之间的第二电极层，所述第二电极层具有第二低电阻金属固溶于其中的第一氮化物导体。
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