[发明专利]浅沟槽隔离结构边沟问题的测试结构和方法有效
| 申请号： | 201310407941.2 | 申请日： | 2013-09-09 |
| 公开（公告）号： | CN104425455B | 公开（公告）日： | 2017-06-27 |
| 发明（设计）人： | 包小燕;葛洪涛 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/544 | 分类号： | H01L23/544;H01L21/66 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)31237 | 代理人： | 屈蘅,李时云 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种浅沟槽隔离结构边沟问题的测试结构和方法，所述测试结构中浅沟槽隔离结构呈锯齿形，栅极结构呈梳齿状，所述浅沟槽隔离结构的延展方向与所述栅极结构的梳齿延展方向相交且所述浅沟槽隔离结构的锯齿位于所述栅极结构的相邻梳齿之间，所述测试方法侦测任意两根梳齿之间的包含漏电流和/或击穿电压在内的电学参数以判断两根梳齿之间的浅沟槽隔离结构是否出现边沟以及是否出现栅极桥接，有效判断边沟问题是否严重，从而提供了一种新的、有效的晶圆可接受性测试结构和方法。 | ||
| 搜索关键词： | 沟槽 隔离 结构 边沟 问题 测试 方法 | ||
【主权项】：
一种浅沟槽隔离结构边沟问题的测试结构，其特征在于，包括：半导体衬底、形成于半导体衬底中的有源区和间隔所述有源区的浅沟槽隔离结构以及位于所述半导体衬底上方的栅极结构，所述浅沟槽隔离结构呈锯齿形，所述栅极结构呈梳齿状，所述浅沟槽隔离结构的延展方向与所述栅极结构的梳齿延展方向相交且所述浅沟槽隔离结构的锯齿位于所述栅极结构的相邻梳齿之间。
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