[发明专利]浅沟槽隔离结构边沟问题的测试结构和方法

权利要求书

1.一种浅沟槽隔离结构边沟问题的测试结构，其特征在于，包括：半导体衬底、形成于半导体衬底中的有源区和间隔所述有源区的浅沟槽隔离结构以及位于所述半导体衬底上方的栅极结构，所述浅沟槽隔离结构呈锯齿形，所述栅极结构呈梳齿状，所述浅沟槽隔离结构的延展方向与所述栅极结构的梳齿延展方向相交且所述浅沟槽隔离结构的锯齿位于所述栅极结构的相邻梳齿之间。

2.如权利要求1所述的浅沟槽隔离结构边沟问题的测试结构，其特征在于，所述锯齿的角度为90度。

3.如权利要求1所述的浅沟槽隔离结构边沟问题的测试结构，其特征在于，所述浅沟槽隔离结构的锯齿延展方向与所述栅极结构的梳齿延展方向垂直。

4.如权利要求1所述的浅沟槽隔离结构边沟问题的测试结构，其特征在于，所述浅沟槽隔离结构的锯齿均匀设置。

5.如权利要求1所述的浅沟槽隔离结构边沟问题的测试结构，其特征在于，所述栅极结构的梳齿均匀设置。

6.如权利要求1至5中任一项所述的浅沟槽隔离结构边沟问题的测试结构，其特征在于，所述栅极结构的相邻梳齿之间至少有一个所述浅沟槽隔离结构的锯齿。

7.如权利要求1至5中任一项所述的浅沟槽隔离结构边沟问题的测试结构，其特征在于，所述栅极结构包括梳齿相向交叉的两个梳齿状栅极，每个栅极连接有测试用焊盘、电极或金属引线。

8.如权利要求7所述的浅沟槽隔离结构边沟问题的测试结构，其特征在于，所述梳齿状栅极为多晶硅栅极。

9.一种浅沟槽隔离结构边沟问题的测试方法，其特征在于，包括以下步骤：

提供半导体衬底，形成如权利要求1至8中任一项所述的浅沟槽隔离结构边沟问题的测试结构；

侦测所述测试结构中栅极结构的任意两根梳齿之间的包含漏电流和/或击穿电压在内的电学参数以判断两根梳齿之间的浅沟槽隔离结构是否出现边沟以及是否出现栅极桥接。

10.如权利要求9所述的测试方法，其特征在于，所述电学参数还包括电阻和电容。