[发明专利]具阻障层的光电半导体元件有效
| 申请号： | 201310404407.6 | 申请日： | 2013-09-06 |
| 公开（公告）号： | CN104425664B | 公开（公告）日： | 2018-06-05 |
| 发明（设计）人： | 刘宗宪;李荣仁;李世昌 | 申请（专利权）人： | 晶元光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/14 | 分类号： | H01L33/14 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开一种光电半导体元件，包含：一阻障层；一第一半导体层位于阻障层之上，第一半导体层包含一第一掺杂物质及一第二掺杂物质；以及一第二半导体层位于阻障层之下包含第二掺杂物质，其中在第一半导体层中，第一掺杂物质的浓度大于第二掺杂物的浓度，且第二掺杂物在第二半导体层中的浓度大于在第一半导体层的浓度。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体层 掺杂物质 阻障层 光电半导体元件 掺杂物 | ||
【主权项】：
一种光电半导体元件，包含：阻障层；第一半导体层，位于该阻障层之上，该第一半导体层包含第一掺杂物质及第二掺杂物质；第二半导体层，位于该阻障层之下包含该第二掺杂物质；第一发光叠层，包含第一发光层，位于该第一半导体层上；第二发光叠层，包含第二发光层，位于该阻障层之下，且该第二发光叠层包含该第二半导体层，该第二半导体层位于该第二发光层及该阻障层之间；以及穿隧叠层，位于该第一发光叠层及该阻障层之间，且该穿隧叠层包含该第一半导体层，其中在该第一半导体层中，该第一掺杂物质的浓度大于该第二掺杂物的浓度，且该第二掺杂物在该第二半导体层中的浓度大于在该第一半导体层的浓度，其中该第一发光叠层还包含第一p型半导体层，位于该第一发光层之上，及第一n型半导体层，位于该第一发光层之下；该第二发光叠层还包含第二n型半导体，位于该第二发光层之下，其中该第二半导体层为一p型半导体；该穿隧叠层还包含第三半导体层，位于该第一半导体层与该第一发光叠层之间。
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