[发明专利]一种阵列基板及其制备方法与显示装置有效
申请号: | 201310400101.3 | 申请日: | 2013-09-05 |
公开(公告)号: | CN103489824A | 公开(公告)日: | 2014-01-01 |
发明(设计)人: | 李付强;王学路;李成;安星俊 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司 |
主分类号: | H01L21/77 | 分类号: | H01L21/77;H01L27/12;G02F1/1362 |
代理公司: | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人: | 黄志华 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明公开了一种阵列基板及其制备方法与显示装置,该阵列基板包括:衬底基板,依次形成在衬底基板上的金属屏蔽层、半导体层、栅极绝缘层、栅金属层、层间介电层、源漏金属层及像素电极层,其中:所述层间介电层和栅极绝缘层内形成有至少一个贯通至金属屏蔽层的第一过孔;所述源漏金属层形成在所述第一过孔上及具备所述第一过孔的层间介电层上。在本方案中,通过设置直达金属屏蔽层的第一过孔,使得像素电极层与金属屏蔽层电相连,进而使得栅金属层中的公共电极线既能与源漏金属层形成存储电容又能与金属屏蔽层形成存储电容,起到了增大阵列基板的存储电容、提高阵列基板的像素电压保持率及降低显示装置闪烁等不良现象的效果。 | ||
搜索关键词: | 一种 阵列 及其 制备 方法 显示装置 | ||
【主权项】:
一种阵列基板,包括衬底基板、依次形成在所述衬底基板上的金属屏蔽层、半导体层、栅极绝缘层、栅金属层、层间介电层、源漏金属层以及像素电极层,其特征在于,所述层间介电层和栅极绝缘层内形成有至少一个贯通至所述金属屏蔽层的第一过孔;所述源漏金属层形成在所述第一过孔内以及具备所述第一过孔的层间介电层上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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