[发明专利]一种阵列基板及其制备方法与显示装置

权利要求书

1.一种阵列基板，包括衬底基板、依次形成在所述衬底基板上的金属屏蔽层、半导体层、栅极绝缘层、栅金属层、层间介电层、源漏金属层以及像素电极层，其特征在于，

所述层间介电层和栅极绝缘层内形成有至少一个贯通至所述金属屏蔽层的第一过孔；

所述源漏金属层形成在所述第一过孔内以及具备所述第一过孔的层间介电层上。

2.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述栅金属层包括栅极、栅线和公共电极线的图案。

3.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，

所述第一过孔至少包括圆形、方形、三角形以及梯形中的任意一种或多种。

4.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述半导体层为多晶硅层，所述阵列基板还包括：

形成在所述金属屏蔽层和所述半导体层之间的缓冲层，所述第一过孔形成在所述层间介电层、栅极绝缘层以及缓冲层内。

5.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述源漏金属层包括源极、漏极和数据线的图案，所述层间介电层以及栅极绝缘层内还形成有分别用于将所述半导体层与源极和漏极电连接的源极过孔以及漏极过孔。

6.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括：

依次形成在所述源漏金属层与所述像素电极层之间的平坦层、公共电极层以及钝化层；

其中，所述平坦层以及钝化层内分别形成有相互对应的、贯通至所述源极金属层的第二过孔、第三过孔；

所述像素电极层形成在所述第三过孔内以及具备所述第三过孔的钝化层上。

7.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求1～6任一所述的阵列基板。

8.一种阵列基板制备方法，其特征在于，所述方法包括：

在衬底基板上依次形成金属屏蔽层、半导体层、栅极绝缘层、栅金属层、层间介电层；

在所述层间介电层和栅极绝缘层内形成至少一个贯通至所述金属屏蔽层的第一过孔；

在所述第一过孔内以及具备所述第一过孔的层间介电层上形成源漏金属层；

在所述源漏金属层上方形成像素电极层。

9.如权利要求8所述的阵列基板制备方法，其特征在于，所述栅金属层的图案包括栅极、栅线和公共电极线。

10.如权利要求8或9所述的阵列基板制备方法，其特征在于，所述半导体层为多晶硅层；在形成所述金属屏蔽层之后，且在形成所述半导体层之前，所述方法还包括：

在所述金属屏蔽层上形成缓冲层，其中，所述第一过孔形成在所述层间介电层、栅极绝缘层以及缓冲层内。

11.如权利要求8或9所述的阵列基板制备方法，其特征在于，所述源漏金属层包括源极、漏极和数据线的图案；在形成所述层间介电层之后，且在形成所述源漏金属层之前，所述方法还包括：

在所述层间介电层以及栅极绝缘层内形成分别用于将所述半导体层与源极和漏极电连接的源极过孔以及漏极过孔。

12.如权利要求8或9所述的阵列基板制备方法，其特征在于，在所述第一过孔内以及具备所述第一过孔的层间介电层上形成源漏金属层之后，且在所述源漏金属层上形成像素电极层之前，所述方法还包括：

依次在所述源漏金属层上形成平坦层、公共电极层以及钝化层；

其中，所述平坦层以及钝化层上分别形成有相互对应的、贯通至所述源极金属层的第二过孔、第三过孔；

在所述源漏金属层上形成像素电极层，包括：

在所述第三过孔内以及具备所述第三过孔的钝化层上形成所述像素电极层。