[发明专利]一种阵列基板及其制备方法与显示装置

说明书

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种阵列基板及其制备方法与显示装置。

背景技术

随着TFT（Thin Film Transistor，薄膜晶体管）液晶显示技术的不断发展，具备功耗低、分辨率高、反应速度快以及开口率高等特点的基于LTPS（Low Temperature Poly-silicon，低温多晶硅）技术的TFT显示装置逐渐成为主流，已被广泛应用于各种电子设备，如液晶电视、智能手机、平板电脑以及数码相机等数字电子设备中。

但是，在基于LTPS技术的TFT显示装置等高分辨率产品中，随着产品分辨率以及开口率的越来越高，会导致LTPS TFT显示装置的阵列基板的像素间距（pixel pitch）越来越小，进而导致阵列基板的存储电容越来越小。由于对于LTPS TFT阵列基板来说，在同样大小漏电流情况下，存储电容越小会导致像素电压的保持率越低，进而会导致闪烁（Flicker）等不良现象的产生，极大地降低了阵列基板或TFT显示装置等高分辨率产品的品质，因此，如何在不影响阵列基板开口率的同时提高其存储电容，已成为业界亟需解决的问题。

发明内容

本发明实施例提供了一种阵列基板及其制备方法与显示装置，用以解决现有技术中存在的阵列基板的存储电容较小所导致的阵列基板或显示装置品质较低的问题。

本发明实施例提供了一种阵列基板，包括衬底基板、依次形成在所述衬底基板上的金属屏蔽层、半导体层、栅极绝缘层、栅金属层、层间介电层、源漏金属层以及像素电极层；其中，所述层间介电层和栅极绝缘层内形成有至少一个贯通至所述金属屏蔽层的第一过孔；所述源漏金属层形成在所述第一过孔内以及具备所述第一过孔的层间介电层上。

进一步地，所述栅金属层包括栅极、栅线和公共电极线的图案。

进一步地，所述第一过孔至少包括圆形、方形、三角形以及梯形中的任意一种或多种。

进一步地，所述半导体层为多晶硅层，所述阵列基板还包括：形成在所述金属屏蔽层和所述半导体层之间的缓冲层，所述第一过孔形成在所述层间介电层、栅极绝缘层以及缓冲层内。

进一步地，所述源漏金属层包括源极、漏极和数据线的图案，所述层间介电层以及栅极绝缘层上还形成有分别用于将所述半导体层与源极和漏极电连接的源极过孔以及漏极过孔。

进一步地，所述阵列基板还包括：依次形成在所述源漏金属层与所述像素电极层之间的平坦层、公共电极层以及钝化层；

其中，所述平坦层以及钝化层内分别形成有相互对应的、贯通至所述源极金属层的第二过孔、第三过孔；

所述像素电极层形成在所述第三过孔内以及具备所述第三过孔的钝化层上。

本发明实施例还提供了一种显示装置，包括上述阵列基板。

在本发明实施例所述技术方案中，通过设置直达金属屏蔽层的过孔，使得位于源漏金属层上的像素电极层可与所述金属屏蔽层电相连，进而使得栅金属层中的公共电极线既能与所述源漏金属层形成存储电容，又能与所述金属屏蔽层形成存储电容，从而起到了增加阵列基板的存储电容、提高阵列基板的像素电压保持率以及降低显示装置的闪烁等不良现象的效果，提高了阵列基板及显示装置的品质。

进一步地，本发明实施例还提供了一种阵列基板制备方法，所述方法包括：

在衬底基板上依次形成金属屏蔽层、半导体层、栅极绝缘层、栅金属层、层间介电层；

在所述层间介电层和栅极绝缘层内形成至少一个贯通至所述金属屏蔽层的第一过孔；

在所述第一过孔内以及具备所述第一过孔的层间介电层上形成源漏金属层；

在所述源漏金属层上方形成像素电极层。

进一步地，所述栅金属层包括栅极、栅线和公共电极线。

进一步地，所述半导体层为多晶硅层；在形成所述金属屏蔽层之后，且在形成所述半导体层之前，所述方法还包括：在所述金属屏蔽层上形成缓冲层，其中，所述第一过孔形成在所述层间介电层、栅极绝缘层以及缓冲层内。

进一步地，所述源漏金属层包括源极、漏极和数据线的图案；在形成所述层间介电层之后，且在形成所述源漏金属层之前，所述方法还包括：在所述层间介电层以及栅极绝缘层上形成分别用于将所述半导体层与源极和漏极电连接的源极过孔以及漏极过孔。

进一步地，在所述第一过孔内以及具备所述第一过孔的层间介电层上形成源漏金属层之后，且在所述源漏金属层上形成像素电极层之前，所述方法还包括：

依次在所述源漏金属层上形成平坦层、公共电极层以及钝化层；