[发明专利]薄膜晶体管、阵列基板及其制备方法在审
| 申请号： | 201310397515.5 | 申请日： | 2013-09-04 |
| 公开（公告）号： | CN104425622A | 公开（公告）日： | 2015-03-18 |
| 发明（设计）人： | 田宗民;陈旭;谢振宇 | 申请（专利权）人： | 北京京东方光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/10;H01L21/336;H01L27/12;H01L21/84 |
| 代理公司： | 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 | 代理人： | 张颖玲;张振伟 |
| 地址： | 100176 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种薄膜晶体管及其制备方法，包括制备源极、漏极以及沟道；其中，所述沟道与所述源极、漏极同层设置；所述沟道包括通过材料改性的方式而使导体具备半导体性质的材料。本发明的薄膜晶体管及其制备方法，将改性后具备半导体性质的结构作为源极、漏极之间的沟道，这种免刻蚀的沟道形成方式可以有效避免应用刻蚀方式形成沟通所引起的不良，能够有效提高产品品质。并且，在形成沟道时将沟道与源极、漏极同层设置，这样栅极与源极、漏极之间正对面积减小，因此源极、漏极与栅极之间的耦合电容减小，因此能够有效降低产品功耗。另外，本发明的薄膜晶体管的制备过程，相比目前常见的制备工艺明显简化了工艺流程，提高了产品的产能。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 阵列 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种薄膜晶体管，至少包括源极、漏极以及沟道，其特征在于，所述沟道与所述源极、漏极同层设置；所述沟道包括通过材料改性的方式使导体具备半导体性质的材料。
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