[发明专利]薄膜晶体管、阵列基板及其制备方法在审
| 申请号： | 201310397515.5 | 申请日： | 2013-09-04 |
| 公开（公告）号： | CN104425622A | 公开（公告）日： | 2015-03-18 |
| 发明（设计）人： | 田宗民;陈旭;谢振宇 | 申请（专利权）人： | 北京京东方光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/10;H01L21/336;H01L27/12;H01L21/84 |
| 代理公司： | 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 | 代理人： | 张颖玲;张振伟 |
| 地址： | 100176 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 阵列 及其 制备 方法 | ||
1.一种薄膜晶体管，至少包括源极、漏极以及沟道，其特征在于，
所述沟道与所述源极、漏极同层设置；
所述沟道包括通过材料改性的方式使导体具备半导体性质的材料。
2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述源极和漏极采用的是沟道未进行改性前的材料。
3.根据权利要求1或2所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述沟道在材料改性之前为导电膜，在材料改性之后为半导体有源层。
4.根据权利要求3所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述薄膜晶体管设置在柔性基板上。
5.一种阵列基板，其特征在于，包括权利要求1至4任一项所述的薄膜晶体管。
6.根据权利要求5所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括像素电极，所述像素电极与源极、漏极同层设置，且与漏极电性连接。
7.根据权利要求6所述的阵列基板，其特征在于，所述像素电极采用沟道未进行改性前的材料。
8.一种薄膜晶体管的制备方法，至少包括形成源极、漏极以及沟道的步骤；其特征在于，
在基板上同层形成源极、漏极以及沟道的材料；其中，所述沟道的材料为导体性质，通过材料改性的方式使导体具备半导体性质，将该具备半导体性质的结构作为所述沟道。
9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述源极和漏极采用的是沟道未进行改性前的导体性质的材料。
10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，在基板上同层形成源极、漏极以及沟道的材料为：在基板上沉积用于形成所述沟道与所述源极、漏极的导电膜。
11.根据权利要求10所述的方法，其特征在于，通过一次掩膜板工艺形成所述沟道与所述源极、漏极。
12.根据权利要求8至11任一项所述的方法，其特征在于，所述基板为柔性基板。
13.一种阵列基板的制备方法，其特征在于，包括：权利要求8至12任一项所述的制备薄膜晶体管的步骤。
14.根据权利要求13所述的方法，其特征在于，所述阵列基板还包括形成像素电极的步骤，所述像素电极与源极、漏极同层形成，且与漏极电性连接。
15.根据权利要求14所述的方法，其特征在于，所述像素电极采用沟道未进行改性前的材料。
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