[发明专利]测量图形密度的方法有效
| 申请号： | 201310392021.8 | 申请日： | 2013-09-02 |
| 公开（公告）号： | CN103439869A | 公开（公告）日： | 2013-12-11 |
| 发明（设计）人： | 王丹;于世瑞;孙贤波 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20;G03F1/36;G03F1/44;H01L21/66 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人： | 竺路玲 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种测量图形密度的方法，通过获取OPC测试光掩膜的数据信息和光刻工艺的工艺参数信息，结合OPC软件提供的光刻过程模拟模块，建立OPC仿真模型。将待测掩膜版图形引入建立的OPC仿真模型，能够模拟待测掩膜板在光刻胶上形成的图案，计算得到模拟光刻胶上图案的图形面积，进一步得到模拟光刻胶上图案的图形密度，也就是实际光刻胶上形成的图案的图形密度；本发明采用模拟仿真的方法，能够精确得到光刻胶上图案的图形密度，从而克服现有技术中由于没有有效的测试图形密度的方法，导致的量测图形密度与实际图形密度差异大的问题，进而准确的测量了图形密度，为后续的刻蚀、研磨等的制程开发，提供准确的数据支持，进一步的提高了产品的良率。 | ||
| 搜索关键词： | 测量 图形 密度 方法 | ||
【主权项】：
一种测量图形密度的方法，其特征在于，包括以下步骤：根据工艺需求提供具有多个OPC测试光掩膜图形的测试光刻掩膜版；获取每个所述OPC测试光掩膜图形的数据信息；确定并获取将要进行的光刻工艺的工艺参数信息；根据所述OPC测试光掩膜图形的数据信息和所述工艺参数信息建立一OPC仿真模型；获取待测掩膜版上的图形数据信息；根据所述待测掩膜版上的图形数据信息，利用所述OPC仿真模型，获取模拟光刻胶上图案的图形密度。
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