[发明专利]测量图形密度的方法有效
| 申请号： | 201310392021.8 | 申请日： | 2013-09-02 |
| 公开（公告）号： | CN103439869A | 公开（公告）日： | 2013-12-11 |
| 发明（设计）人： | 王丹;于世瑞;孙贤波 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20;G03F1/36;G03F1/44;H01L21/66 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人： | 竺路玲 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 测量 图形 密度 方法 | ||
1.一种测量图形密度的方法，其特征在于，包括以下步骤：
根据工艺需求提供具有多个OPC测试光掩膜图形的测试光刻掩膜版；
获取每个所述OPC测试光掩膜图形的数据信息；
确定并获取将要进行的光刻工艺的工艺参数信息；
根据所述OPC测试光掩膜图形的数据信息和所述工艺参数信息建立一OPC仿真模型；
获取待测掩膜版上的图形数据信息；
根据所述待测掩膜版上的图形数据信息，利用所述OPC仿真模型，获取模拟光刻胶上图案的图形密度。
2.如权利要求1所述的测量图形密度的方法，其特征在于，所述测试光刻掩膜版上设置有在待测光刻掩膜板上所有可能出现的图形。
3.如权利要求2所述的测量图形密度的方法，其特征在于，所述待测光刻掩膜版上包括辅助图形和填充图形。
4.如权利要求1所述的测量图形密度的方法，其特征在于，所述OPC测试光掩膜图形的数据信息包括：掩膜图形和关键尺寸。
5.如权利要求1所述的测量图形密度的方法，其特征在于，所述工艺参数信息包括：所述光刻胶的材质和厚度，光圈类型，光圈数值孔径，曝光时间，曝光强度，聚焦深度，光波长，位于所述光刻胶底部薄膜的材质和厚度，及位于所述光刻胶上表面的薄膜的材质和厚度。
6.如权利要求1所述的测量图形密度的方法，其特征在于，获取所述待测光刻掩膜版上的图形数据信息为获取包含所述待测光刻掩膜版图形的文件。
7.如权利要求1所述的测量图形密度的方法，其特征在于，根据所述数据信息和所述工艺参数信息建立一OPC仿真模型包括：
提供一光刻过程模拟模块；
将所述数据信息和所述工艺参数信息引入所述光刻过程模拟模块中，以建立所述OPC仿真模型。
8.如权利要求1所述的测量图形密度的方法，其特征在于，所述掩膜版上的图形数据信息包括：由辅助图形、填充图形和掩膜版图形构成的文件，该文件可以完全反映待测光刻掩膜版上的图形分布信息。
9.如权利要求1所述的测量图形密度的方法，其特征在于，利用所述OPC仿真模型获取模拟光刻胶上图案的图形密度包括：
将所述待测光刻掩膜版上的图形数据信息引入到所述OPC仿真模型中，利用OPC仿真模型模拟光刻之后光刻胶上形成的图案，而后计算所述模拟图案的图形面积，根据图形密度等于图形面积除以总面积，得到所述模拟光刻胶上图案的图形密度。
10.如权利要求1所述的测量图形密度的方法，其特征在于，所述模拟光刻胶上图案的图形密度为所述光刻胶上图案的图形密度。
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