[发明专利]第III族氮化物半导体发光器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201310381669.5 | 申请日： | 2013-08-28 |
| 公开（公告）号： | CN103682002A | 公开（公告）日： | 2014-03-26 |
| 发明（设计）人： | 奥野浩司;宫崎敦嗣 | 申请（专利权）人： | 丰田合成株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/32;H01L33/22;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 顾晋伟;全万志 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供第III族氮化物半导体发光器件及其制造方法。具体地，本发明提供一种其中发光层中的应变得以松弛以实现高发光效率的第III族氮化物半导体器件以及用于制造该器件的方法。本发明的发光器件具有衬底、低温缓冲层、n型接触层、第一ESD层、第二ESD层、n侧超晶格层、发光层、p侧超晶格层、p型接触层、n型电极N1、p型电极P1和钝化膜F1。第二ESD层具有平均凹坑直径D的凹坑。平均凹坑直径D为至包括在n侧超晶格层中的InGaN层的厚度满足以下条件：-0.029×D+82.8≤Y≤-0.029×D+102.8。 | ||
| 搜索关键词： | iii 氮化物 半导体 发光 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种第III族氮化物半导体发光器件，包括：由第III族氮化物半导体形成的底层、形成在所述底层上的超晶格层和形成在所述超晶格层上的发光层，其中所述底层具有凹坑；所述超晶格层至少具有由包含铟的第III族氮化物半导体形成的含铟层；所述凹坑具有在所述底层与所述超晶格层之间的界面处测得的平均凹坑直径![]()
该凹坑直径满足以下条件：![]()
以及所述含铟层的厚度![]()
满足以下条件：-0.029×D+82.8≤Y≤-0.029×D+102.8。
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