[发明专利]LED芯片及其制备方法无效
| 申请号： | 201310366962.4 | 申请日： | 2013-08-21 |
| 公开（公告）号： | CN103413874A | 公开（公告）日： | 2013-11-27 |
| 发明（设计）人： | 刘撰;陈家洛;陈立人;余长治 | 申请（专利权）人： | 聚灿光电科技（苏州）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/02 | 分类号： | H01L33/02;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 常亮 |
| 地址： | 215123 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种LED芯片及其制备方法，LED芯片包括衬底以及依次位于衬底上的N型半导体层、多量子阱发光层、P型半导体层，N型半导体层为台阶状设置，N型半导体层包括第一台面及第二台面，第一台面的高度低于第二台面的高度，多量子阱发光层、P型半导体层位于第二台面上，N型半导体层的第一台面上设有与N型半导体层电性连接的N电极，P型半导体层上设有与P型半导体层电性连接的P电极，N电极和第二台面之间的第一台面上设有导光柱，导光柱顶部的水平高度不低于多量子阱发光层顶部的水平高度。本发明中导光柱可以将射向N电极的光线向正面反射，避免了N电极吸收光线，提升了LED芯片的外量子效率。 | ||
| 搜索关键词： | led 芯片 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种LED芯片，所述LED芯片包括衬底以及依次位于衬底上的N型半导体层、多量子阱发光层、P型半导体层，所述N型半导体层为台阶状设置，N型半导体层包括第一台面及第二台面，第一台面的高度低于第二台面的高度，所述多量子阱发光层、P型半导体层位于第二台面上，所述N型半导体层的第一台面上设有与N型半导体层电性连接的N电极，P型半导体层上设有与P型半导体层电性连接的P电极，其特征在于，所述N电极和第二台面之间的第一台面上设有导光柱，所述导光柱顶部的水平高度不低于多量子阱发光层顶部的水平高度。
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