[发明专利]LED芯片及其制备方法

权利要求书

1.一种LED芯片，所述LED芯片包括衬底以及依次位于衬底上的N型半导体层、多量子阱发光层、P型半导体层，所述N型半导体层为台阶状设置，N型半导体层包括第一台面及第二台面，第一台面的高度低于第二台面的高度，所述多量子阱发光层、P型半导体层位于第二台面上，所述N型半导体层的第一台面上设有与N型半导体层电性连接的N电极，P型半导体层上设有与P型半导体层电性连接的P电极，其特征在于，所述N电极和第二台面之间的第一台面上设有导光柱，所述导光柱顶部的水平高度不低于多量子阱发光层顶部的水平高度。

2.根据权利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述第二台面在与N电极对应位置的其余外侧也设有导光柱，导光柱环绕于第二台面外侧。

3.根据权利要求1或2所述的LED芯片，其特征在于，所述导光柱为连续导光柱或间隔导光柱结构。

4.根据权利要求3所述的LED芯片，其特征在于，所述间隔导光柱包括若干间隔设置的圆柱形、圆台形、三角锥型中一种或多种的组合；所述连续导光柱的截面为矩形、等腰梯形、或三角形。

5.根据权利要求1或2所述的LED芯片，其特征在于，所述导光柱底部宽度为3～10μm。

6.根据权利要求1或2所述的LED芯片，其特征在于，所述N型半导体层、P型半导体层、导光柱的材料为GaN、GaAs、InP、或InGaAsP。

7.根据权利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述衬底和N型半导体层之间包括非有意掺杂半导体层，非有意掺杂半导体层的材料为GaN、GaAs、InP、或InGaAsP。

8.根据权利要求1或2所述的LED芯片，其特征在于，所述N型半导体层上第一台面和第二台面通过侧面相连，所述侧面与垂直方向的夹角为10°～80°。

9.根据权利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述P型半导体层上还包括透明导电层，所述P电极与所述透明导电层电性连接。

10.一种如权利要求1所述的LED芯片的制备方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：

S1、提供一衬底，在衬底上依次生长N型半导体层、多量子阱发光层、P型半导体层，构成LED晶圆；

S2、在LED晶圆上涂覆光刻胶并进行光刻，光刻后在P型半导体层、导光柱区域留下光刻胶；

S3、以LED晶圆上的光刻胶作为掩膜进行ICP蚀刻，蚀刻至N型半导体层产生第一台面；

S4、去除残余的光刻胶，LED晶圆上产生N型半导体层第一台面及导光柱；

S5、在N型半导体层第一台面和P型半导体层上分别形成N电极和P电极。