[发明专利]半导体发光器件及其制造方法、和发光设备在审
| 申请号： | 201310354117.5 | 申请日： | 2013-08-14 |
| 公开（公告）号： | CN103594584A | 公开（公告）日： | 2014-02-19 |
| 发明（设计）人： | 梁钟邻;金容一;宋光珉;林完泰;韩世俊;洪玄权 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/38 | 分类号： | H01L33/38;H01L33/62 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 陈源;张帆 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体发光器件和发光设备以及半导体发光器件的制造方法。该半导体发光器件包括第一导电半导体层、有源层、第二导电半导体层、第一内部电极、第二内部电极、绝缘部件以及第一焊盘电极和第二焊盘电极。有源层布置在第一导电半导体层的第一部分上，并且有源层上面布置有第二导电层。第一内部电极布置在第一导电半导体层的与第一部分分开的第二部分上。第二内部电极布置在第二导电半导体层上。绝缘部件分别布置在第二部分的一部分、第一内部电极以及第二内部电极上，而第一焊盘电极和第二焊盘电极布置在绝缘部件上并且分别与第一内部电极和第二内部电极中的相应一个电极连接。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 发光 器件 及其 制造 方法 设备 | ||
【主权项】：
一种半导体发光器件，包括：第一导电半导体层；有源层，其布置在所述第一导电半导体层的第一部分上；第二导电半导体层，其布置在所述有源层上；第一内部电极，其布置在所述第一导电半导体层的与所述第一部分分开的第二部分上；第二内部电极，其布置在所述第二导电半导体层的至少一部分上并且与所述第二导电半导体层连接；绝缘部件，其分别布置在所述第二部分的一部分、所述第一内部电极以及所述第二内部电极上，并且具有用于暴露出所述第一内部电极和所述第二内部电极中的每一个电极的至少一部分的开口区域；以及第一焊盘电极和第二焊盘电极，布置在所述绝缘部件上并且分别与通过所述开口区域暴露出来的所述第一内部电极和所述第二内部电极中的相应一个电极连接。
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