[发明专利]半导体装置有效
| 申请号： | 201310349467.2 | 申请日： | 2013-08-12 |
| 公开（公告）号： | CN103715246B | 公开（公告）日： | 2016-10-19 |
| 发明（设计）人： | 石黑哲郎;山田敦史;中村哲一 | 申请（专利权）人： | 富士通株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 顾晋伟;全万志 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体装置，其包括：衬底；形成在衬底上的缓冲层；形成在缓冲层上的应变层超晶格缓冲层；在应变层超晶格缓冲层上的由半导体材料形成的电子渡越层；以及在电子渡越层上的由半导体材料形成的电子供给层，该应变层超晶格缓冲层为包含AlN的第一晶格层和包含GaN的第二晶格层的交替堆叠体，该应变层超晶格缓冲层掺杂有选自Fe、Mg和C中的一种、两种或更多种杂质。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，包括：衬底；形成在所述衬底上的缓冲层；形成在所述缓冲层上的应变层超晶格缓冲层；在所述应变层超晶格缓冲层上的由半导体材料形成的电子渡越层；以及在所述电子渡越层上的由半导体材料形成的电子供给层；所述应变层超晶格缓冲层为包含AlN的第一晶格层和包含GaN的第二晶格层的交替堆叠体；所述应变层超晶格缓冲层掺杂有选自Fe、Mg和C中的一种、两种或更多种杂质，其中所述缓冲层包括至少三个层，所述至少三个层的每层具有不同Al组成。
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