[发明专利]半导体装置有效
| 申请号： | 201310349467.2 | 申请日： | 2013-08-12 |
| 公开（公告）号： | CN103715246B | 公开（公告）日： | 2016-10-19 |
| 发明（设计）人： | 石黑哲郎;山田敦史;中村哲一 | 申请（专利权）人： | 富士通株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 顾晋伟;全万志 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
1.一种半导体装置，包括：
衬底；
形成在所述衬底上的缓冲层；
形成在所述缓冲层上的应变层超晶格缓冲层；
在所述应变层超晶格缓冲层上的由半导体材料形成的电子渡越层；以及
在所述电子渡越层上的由半导体材料形成的电子供给层；
所述应变层超晶格缓冲层为包含AlN的第一晶格层和包含GaN的第二晶格层的交替堆叠体；
所述应变层超晶格缓冲层掺杂有选自Fe、Mg和C中的一种、两种或更多种杂质。
2.一种半导体装置，包括：
衬底；
形成在所述衬底上的缓冲层；
形成在所述缓冲层上的应变层超晶格缓冲层；
在所述应变层超晶格缓冲层上的由半导体材料形成的电子渡越层；以及
在所述电子渡越层上的由半导体材料形成的电子供给层；
所述应变层超晶格缓冲层为包含AlN的第一晶格层和包含GaN的第二晶格层的交替堆叠体；
所述第一晶格层或所述第二晶格层掺杂有选自Fe、Mg和C中的一种、两种或更多种杂质。
3.根据权利要求2所述的半导体装置，
其中所述第二晶格层掺杂有所述杂质。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的半导体装置，
其中所述杂质的浓度为1×1018cm-3至1×1020cm-3。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的半导体装置，
其中如果所述第一晶格层的组成为AlRGa1-RN并且所述第二晶格层的组成为AlSGa1-SN，则满足关系式R＞S。
6.根据权利要求1至4中任一项所述的半导体装置，
其中所述第一晶格层由AlN形成，并且所述第二晶格层由GaN形成。
7.根据权利要求1至6中任一项所述的半导体装置，
其中所述第一晶格层的厚度不小于0.5nm且不大于10nm，以及
所述第二晶格层的厚度不小于10nm且不大于40nm。
8.根据权利要求1至7中任一项所述的半导体装置，
其中所述第二晶格层的厚度与所述第一晶格层的厚度之比不小于4且不大于20。
9.根据权利要求1至8中任一项所述的半导体装置，
其中所述应变层超晶格缓冲层的厚度不小于1000nm且不大于3000nm。
10.根据权利要求1至9中任一项所述的半导体装置，
其中所述缓冲层由AlGaN形成。
11.根据权利要求10所述的半导体装置，
其中所述缓冲层中的Al组成不小于在所述应变层超晶格缓冲层中的有效Al组成。
12.根据权利要求1至11中任一项所述的半导体装置，
其中所述半导体装置还包括形成在所述衬底与所述缓冲层之间的成核层；以及
所述成核层由AlN形成。
13.根据权利要求1至12中任一项所述的半导体装置，
其中所述衬底为硅衬底。
14.根据权利要求1至13中任一项所述的半导体装置，
其中所述缓冲层、所述应变层超晶格缓冲层、所述电子渡越层和所述电子供给层是通过金属有机气相外延(MOVPE)形成的层。
15.根据权利要求1至14中任一项所述的半导体装置，
其中所述电子渡越层由包含GaN的材料形成。
16.根据权利要求1至15中任一项所述的半导体装置，
其中所述电子供给层由包含AlGaN的材料形成。
17.根据权利要求1至16中任一项所述的半导体装置，
其中所述半导体装置还包括栅电极、源电极和漏电极，所述栅电极、所述源电极和所述漏电极形成在所述电子供给层上。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于富士通株式会社，未经富士通株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201310349467.2/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种用于镀膜色差均匀度和玻璃外观的在线检验装置
- 下一篇：轴承提升加载机构
- 同类专利
- 专利分类
