[发明专利]半导体装置及其制造方法有效
| 申请号： | 201310345516.5 | 申请日： | 2013-08-09 |
| 公开（公告）号： | CN103633127B | 公开（公告）日： | 2018-06-01 |
| 发明（设计）人： | 李晶粲;李承宰;姜尚范;郭大荣;金明哲;金庸淏 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L29/51;H01L21/28;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 刘灿强;刘奕晴 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 提供了一种半导体装置及其制造方法，该半导体装置包括：第一栅极图案，设置在基板的外围区域中；第二栅极图案，设置在基板的单元区域中；第一绝缘件，形成在第一栅极图案的侧壁上；以及第二绝缘件，形成在第二栅极图案的侧壁上，其中，第一绝缘件的介电常数与第二绝缘件的介电常数不同，以及其中，第二绝缘件的高度大于第二栅极图案的高度。 | ||
| 搜索关键词： | 栅极图案 绝缘件 半导体装置 介电常数 侧壁 基板 单元区域 外围区域 制造 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，所述半导体装置包括：第一栅极图案，设置在基板的外围区域中；第二栅极图案，设置在基板的单元区域中；第一绝缘件，形成在第一栅极图案的侧壁上；以及第二绝缘件，形成在第二栅极图案的侧壁上，其中，第一绝缘件的介电常数与第二绝缘件的介电常数不同，以及其中，第二绝缘件的高度大于第二栅极图案的高度，其中，第二绝缘件的高度大于第一绝缘件的高度，其中，第一栅极图案包括第一高介电常数栅极绝缘膜，第一高介电常数栅极绝缘膜形成在第一栅极图案的侧壁和底表面上，第二栅极图案包括第二高介电常数栅极绝缘膜，第二高介电常数栅极绝缘膜形成在第二栅极图案的侧壁和底表面上。
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