[发明专利]半导体装置及其制造方法

说明书

提供了一种半导体装置及其制造方法，该半导体装置包括：第一栅极图案，设置在基板的外围区域中；第二栅极图案，设置在基板的单元区域中；第一绝缘件，形成在第一栅极图案的侧壁上；以及第二绝缘件，形成在第二栅极图案的侧壁上，其中，第一绝缘件的介电常数与第二绝缘件的介电常数不同，以及其中，第二绝缘件的高度大于第二栅极图案的高度。

本申请要求在2012年8月22日提交到韩国知识产权局的第10-2012-0091811号韩国专利申请的优先权，通过引用将该申请的全部公开内容包含于此。

技术领域

本发明构思涉及半导体装置及其制造方法。

背景技术

电子技术的发展已经引起半导体装置的小型化。由于许多半导体装置目前需要快的操作速度和高精确性，所以正在开发用于这些装置的各种晶体管结构。

发明内容

本发明构思的示例性实施例提供了一种能够减少栅极与源极和/或漏极之间的电容耦合现象的半导体装置。

本发明构思的示例性实施例提供了一种能够减少栅极与源极和/或漏极之间的电容耦合现象的半导体装置的制造方法。

根据本发明构思的示例性实施例，提供了一种半导体装置，该半导体装置包括：第一栅极图案，设置在基板的外围区域中；第二栅极图案，设置在基板的单元区域中；第一绝缘件，形成在第一栅极图案的侧壁上；以及第二绝缘件，形成在第二栅极图案的侧壁上，其中，第一绝缘件的介电常数与第二绝缘件的介电常数不同，以及其中，第二绝缘件的高度大于第二栅极图案的高度。

第一栅极图案包括第一高介电常数栅极绝缘膜，第一高介电常数栅极绝缘膜形成在第一栅极图案的侧壁和底表面上，第二栅极图案包括第二高介电常数栅极绝缘膜，第二高介电常数栅极绝缘膜形成在第二栅极图案的侧壁和底表面上。

第一绝缘件包括气隙。

第一绝缘件的介电常数小于第二绝缘件的介电常数。

所述半导体装置还包括层间介电膜，层间介电膜设置在第二栅极图案上并且位于第二绝缘件之间。

根据本发明构思的示例性实施例，提供了一种半导体装置，该半导体装置包括：第一栅极图案，设置在基板的外围区域中；第二栅极图案，设置在基板的单元区域中；第一绝缘件，形成在第一栅极图案的侧壁上；以及第二绝缘件，形成在第二栅极图案的侧壁上，其中，第一绝缘件包括具有第一介电常数的上部和具有第二介电常数的下部，第一介电常数和第二介电常数彼此不同，以及其中，第二绝缘件具有与第一介电常数不同的第三介电常数。

第一绝缘件的上部包括气隙。

第一栅极图案包括高介电常数栅极绝缘膜，高介电常数栅极绝缘膜形成在第一栅极图案的侧壁和底表面上，第一绝缘件的下部的厚度小于形成在第一栅极图案的底表面上的高介电常数栅极绝缘膜的厚度。

根据本发明构思的示例性实施例，提供了一种半导体装置，该半导体装置包括：第一栅极图案，设置在基板的外围区域中；第二栅极图案，设置在基板的单元区域中；气隙，形成在第一栅极图案的侧壁上；以及绝缘件，形成在第二栅极图案的侧壁上，其中，气隙的介电常数与绝缘件的介电常数不同。

第一栅极图案包括第一高介电常数栅极绝缘膜，第一高介电常数栅极绝缘膜形成在第一栅极图案的侧壁和底表面上，第二栅极图案包括第二高介电常数栅极绝缘膜，第二高介电常数栅极绝缘膜形成在第二栅极图案的侧壁和底表面上。

气隙被衬里围绕。

衬里包括低介电常数的材料。

所述半导体装置还包括接触件，接触件电连接到外围区域中的源极/漏极，其中，接触件的顶表面高于第一栅极图案的顶表面，源极/漏极邻近第一栅极图案。

接触件的侧壁是阶梯式的，使得接触件的下部的宽度小于接触件的上部的宽度。