[发明专利]半导体装置及其制造方法有效
| 申请号： | 201310345410.5 | 申请日： | 2013-08-09 |
| 公开（公告）号： | CN103579359B | 公开（公告）日： | 2019-05-17 |
| 发明（设计）人： | 山崎舜平 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L27/12 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 高科 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的一个方式的目的之一是提供一种可靠性高且具有稳定的电特性的半导体装置。另外，本发明的一个方式的目的之一是提供一种可靠性高的半导体装置。以传导带（Conduction Band）构成阱结构的方式层叠氧化物半导体膜。具体地说，制造如下结构的晶体管：在第一氧化物半导体膜上层叠具有晶体结构的第二氧化物半导体膜，在第二氧化物半导体膜上形成至少包括第三氧化物半导体膜的具有多层结构的晶体管。通过使该晶体管成为能够形成埋沟的晶体管来减少氧缺陷并提高晶体管的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，包括：半导体衬底；所述半导体衬底上的第一氧化物半导体膜；所述第一氧化物半导体膜上的包括第一晶体区的第二氧化物半导体膜；所述第二氧化物半导体膜上的包括第二晶体区的第三氧化物半导体膜；所述第三氧化物半导体膜上的源电极；以及所述第三氧化物半导体膜上的漏电极，其中，所述第二氧化物半导体膜中的传导带的下端离真空能级深于所述第一氧化物半导体膜中的传导带的下端及所述第三氧化物半导体膜中的传导带的下端，所述第三氧化物半导体膜的上表面包括在平面视图中沿沟道长度方向上的所述源电极和所述漏电极的外部的第一区，并且所述源电极在所述第一区与所述漏电极之间。
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