[发明专利]半导体装置及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置，包括：

半导体衬底；

所述半导体衬底上的第一氧化物半导体膜；

所述第一氧化物半导体膜上的包括第一晶体区的第二氧化物半导体膜；

所述第二氧化物半导体膜上的包括第二晶体区的第三氧化物半导体膜；

所述第三氧化物半导体膜上的源电极；以及

所述第三氧化物半导体膜上的漏电极，

其中，所述第二氧化物半导体膜中的传导带的下端离真空能级深于所述第一氧化物半导体膜中的传导带的下端及所述第三氧化物半导体膜中的传导带的下端，

所述第三氧化物半导体膜的上表面包括在平面视图中沿沟道长度方向上的所述源电极和所述漏电极的外部的第一区，

并且所述源电极在所述第一区与所述漏电极之间。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，包含在所述第一氧化物半导体膜及所述第三氧化物半导体膜的每一个中的Si的浓度为3×10¹⁸/cm³以下。

3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，包含在所述第一氧化物半导体膜及所述第三氧化物半导体膜的每一个中的碳的浓度为3×10¹⁸/cm³以下。

4.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述第一晶体区包含c轴取向为实质上垂直于所述第二氧化物半导体膜的表面的方向的晶体。

5.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述第一氧化物半导体膜及所述第三氧化物半导体膜都具有1×10¹⁹/cm³以上的铟含量。

6.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述第二氧化物半导体膜具有多于所述第一氧化物半导体膜及所述第三氧化物半导体膜的铟含量。

7.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述第一氧化物半导体膜及所述第三氧化物半导体膜包含铟、锌及镓。

8.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述第二氧化物半导体膜中的基于局部能级的吸收系数为3×10^-3/cm以下。

9.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述第二晶体区包含c轴取向为实质上垂直于所述第三氧化物半导体膜的表面的方向的晶体。

10.根据权利要求1所述的半导体装置，还包括：

所述第一氧化物半导体膜下的第一氮化物绝缘膜；以及

所述第三氧化物半导体膜上的第二氮化物绝缘膜。

11.一种半导体装置，包括：

半导体衬底；

第一晶体管，包含所述半导体衬底的一部分作为沟道形成区；

所述第一晶体管上的绝缘膜；以及

所述绝缘膜上的第二晶体管，

其中，所述第二晶体管包括：

第一氧化物半导体膜；

所述第一氧化物半导体膜上的包括第一晶体区的第二氧化物半导体膜；

所述第二氧化物半导体膜上的包括第二晶体区的第三氧化物半导体膜；

所述第三氧化物半导体膜上的源电极；以及

所述第三氧化物半导体膜上的漏电极，

其中，所述第二氧化物半导体膜中的传导带的下端离真空能级深于所述第一氧化物半导体膜的传导带的下端及所述第三氧化物半导体膜中的传导带的下端，

所述第三氧化物半导体膜的上表面包括在平面视图中沿沟道长度方向上的所述源电极和所述漏电极的外部的第一区，

并且所述源电极在所述第一区与所述漏电极之间。

12.根据权利要求11所述的半导体装置，其中，包含在所述第一氧化物半导体膜及所述第三氧化物半导体膜的每一个中的Si的浓度为3×10¹⁸/cm³以下。