[发明专利]氮化物半导体晶片、氮化物半导体器件和制造氮化物半导体晶片的方法无效
| 申请号： | 201310331614.3 | 申请日： | 2013-08-01 |
| 公开（公告）号： | CN103682008A | 公开（公告）日： | 2014-03-26 |
| 发明（设计）人： | 吉田学史;彦坂年辉;原田佳幸;杉山直治;布上真也 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | H01L33/12 | 分类号： | H01L33/12;H01L29/06;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 杨晓光;于静 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及氮化物半导体晶片、氮化物半导体器件和制造氮化物半导体晶片的方法。一种氮化物半导体晶片包括硅衬底、层叠的多层单元、含硅单元和上层单元。所述硅衬底具有主表面。所述层叠的多层单元在所述主表面上提供。所述层叠的多层单元包括N个缓冲层。所述缓冲层包括第i缓冲层和在所述第i缓冲层上提供的第(i+1)缓冲层。所述第i缓冲层在平行于所述主表面的第一方向上具有第i晶格长度Wi。所述第(i+1)缓冲层在所述第一方向上具有第(i+1)晶格长度W(i+1)。所有所述缓冲层满足关系(W(i+1)-Wi)/Wi≤0.008。所述含硅单元在所述层叠的多层单元上提供。所述上层单元在所述含硅单元上提供。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化物 半导体 晶片 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种氮化物半导体晶片，包括：具有主表面的硅衬底；在所述主表面上提供并包括沿垂直于所述主表面的层叠方向层叠的N个缓冲层的层叠的多层单元，所述缓冲层包括氮化物半导体，N不小于2且不大于9，所述缓冲层包括第i缓冲层（i是大于等于1且小于N的整数）和在所述第i缓冲层上提供的第(i+1)缓冲层，所述第i缓冲层在平行于所述主表面的第一方向上具有第i晶格长度Wi，所述第(i+1)缓冲层在所述第一方向上具有第(i+1)晶格长度W(i+1)，以及所有所述缓冲层满足关系(W(i+1)‑Wi)/Wi≤0.008；在所述层叠的多层单元上提供并包含硅的含硅单元；以及在所述含硅单元上提供并包括氮化物半导体的上层单元。
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