[发明专利]绝缘栅双极型晶体管IGBT制造方法

摘要

本发明提供一种IGBT制造方法，包括在N型基片的正面和背面的表面上形成氧化层；形成位于N型基片背面的表面内的缓冲层；在氧化层的表面上形成保护层；去除覆盖在所述N型基片正面上的保护层和氧化层，保留N型基片背面的氧化层和保护层，以保护所述N型基片的背面；形成正面IGBT结构并在其表面上粘贴保护膜，以保护所述正面IGBT结构；去除覆盖在N型基片背面上的保护层和氧化层；形成背面IGBT结构和背面金属层；去除覆盖在所述正面IGBT结构表面上的保护膜。通过本发明提供的IGBT制造方法能够实现对具备双面结构的IGBT的制造。

主权项

一种绝缘栅双极型晶体管IGBT制造方法，其特征在于，包括：在N型基片的正面和背面的表面上形成氧化层，所述氧化层包括第一氧化层和第二氧化层，所述第一氧化层为覆盖在所述N型基片正面表面上的所述氧化层，所述第二氧化层为覆盖在所述N型基片背面表面上的所述氧化层；通过注入N型杂质并高温扩散，形成位于所述N型基片背面的表面内的缓冲层；在所述第一氧化层和所述第二氧化层的表面上，形成保护层；去除覆盖在所述N型基片正面上的保护层和所述第一氧化层，并保留所述第二氧化层和位于所述第二氧化层表面上的保护层，以保护所述N型基片的背面；根据预设的第一工艺流程，形成位于所述N型基片正面的表面上和表面内的正面IGBT结构，并在所述正面IGBT结构的表面上粘贴保护膜，以保护所述正面IGBT结构；去除覆盖在所述N型基片背面上的所述保护层和所述第二氧化层，以露出所述缓冲层的表面；根据预设的第二工艺流程，形成位于所述缓冲层表面内的背面IGBT结构；根据预设的第三工艺流程，形成位于所述背面IGBT结构表面上的背面金属层；去除覆盖在所述正面IGBT结构表面上的保护膜。