[发明专利]绝缘栅双极型晶体管IGBT制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及半导体器件领域，尤其涉及一种绝缘栅双极型晶体管IGBT制造方法。

背景技术

近年来，随着半导体器件的快速发展，绝缘栅双极型晶体管（Insulated Gate Bipolar Transistor，简称IGBT）已成为电力电子领域最重要的大功率主流器件之一。

图1为现有的一种IGBT的剖面示意图，如图1所示，该IGBT具备双面结构，即正面IGBT结构11和背面IGBT结构12，并且，在所述背面IGBT结构的表面上还设置有背面金属层13，因此，如何在形成正面IGBT结构的同时不影响器件背面结构和背面金属层，以及如何在形成背面IGBT结构和背面金属层的过程中不对器件的正面器件结构造成影响，是影响器件制造的重要因素。

但是，由于现有的IGBT制造方案还未能有效解决上述问题，因此根据现有的IGBT制造方案难以实现上述具备双面结构的IGBT的制造。

发明内容

本发明提供一种绝缘栅双极型晶体管IGBT制造方法，用于解决现有绝缘栅双极型晶体管（Insulated Gate Bipolar Transistor，简称IGBT）制造方案难以实现具备双面结构的IGBT的制造的问题。

本发明提供一种IGBT制造方法，包括：

在N型基片的正面和背面的表面上形成氧化层，所述氧化层包括第一氧化层和第二氧化层，所述第一氧化层为覆盖在所述N型基片正面表面上的所述氧化层，所述第二氧化层为覆盖在所述N型基片背面表面上的所述氧化层；

通过注入N型杂质并高温扩散，形成位于所述N型基片背面的表面内的缓冲层；

在所述第一氧化层和所述第二氧化层的表面上，形成保护层；

去除覆盖在所述N型基片正面上的保护层和所述第一氧化层，并保留所述第二氧化层和位于所述第二氧化层表面上的保护层，以保护所述N型基片的背面；

根据预设的第一工艺流程，形成位于所述N型基片正面的表面上和表面内的正面IGBT结构，并在所述正面IGBT结构的表面上粘贴保护膜，以保护所述正面IGBT结构；

去除覆盖在所述N型基片背面上的所述保护层和所述第二氧化层，以露出所述缓冲层的表面；

根据预设的第二工艺流程，形成位于所述缓冲层表面内的背面IGBT结构；

根据预设的第三工艺流程，形成位于所述背面IGBT结构表面上的背面金属层；

去除覆盖在所述正面IGBT结构表面上的保护膜。

本发明提供的IGBT制造方法，通过在N型基片背面形成保护层后，形成正面IGBT结构，并在所述正面IGBT结构的表面上粘贴保护膜；去除覆盖在N型基片背面上的保护层并形成背面IGBT结构；最后去除覆盖在所述正面IGBT结构表面上的保护膜的技术方案，实现对具备双面结构的IGBT的制造。

附图说明

图1为现有的一种IGBT的剖面示意图；

图2为本发明实施例一提供的一种IGBT制造方法的流程示意图；

图3-图10为本发明实施例一执行过程中IGBT的剖面示意图。

具体实施方式

为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。为了方便说明，放大或者缩小了不同层和区域的尺寸，所以图中所示大小和比例并不一定代表实际尺寸，也不反映尺寸的比例关系。

图2为本发明实施例一提供的一种绝缘栅双极型晶体管（Insulated Gate Bipolar Transistor，简称IGBT）制造方法的流程示意图，为了对本实施例中的方法进行清楚系统的描述，图3-图10为实施例一执行过程中IGBT的剖面示意图，如图2所示，所述方法包括以下步骤：

201、在N型基片（图中标注为n-）的正面和背面的表面上形成氧化层，所述氧化层包括第一氧化层和第二氧化层，所述第一氧化层为覆盖在所述N型基片正面表面上的所述氧化层，所述第二氧化层为覆盖在所述N型基片背面表面上的所述氧化层。

具体地，执行201之后的所述IGBT的剖面示意图如图3所示，其中，所述N型基片用标号31表示，所述第一氧化层用标号32表示，所述第二氧化层用标号33表示。