[发明专利]半导体功率器件及其制造方法在审
| 申请号： | 201310309853.9 | 申请日： | 2013-07-22 |
| 公开（公告）号： | CN104332403A | 公开（公告）日： | 2015-02-04 |
| 发明（设计）人： | 钟圣荣;周东飞;邓小社;王根毅 | 申请（专利权）人： | 无锡华润上华半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/331 | 分类号： | H01L21/331 |
| 代理公司： | 无锡互维知识产权代理有限公司 32236 | 代理人： | 王爱伟 |
| 地址： | 214028 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种半导体功率器件及其制造方法，所述制造方法包括：提供形成有半导体功率器件的晶圆，其中所述半导体功率器件包括位于正面最上层的钝化层和位于背面最下层的集电极层；在所述半导体功率器件的钝化层上形成PI层；在形成有PI层的所述半导体功率器件的背面的集电极层上形成背面金属层。这样其可以明显改善本发明中的半导体功率器件在CP测试时的打火现象，在封装后考核时漏电也会稳定，后续的高温考核可以正常进行。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 功率 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体功率器件的制造方法，其特征在于，其包括：提供形成有半导体功率器件的晶圆，其中所述半导体功率器件包括位于正面最上层的钝化层和位于背面最下层的集电极层；在所述半导体功率器件的钝化层上形成PI层；在形成有PI层的所述半导体功率器件的背面的集电极层上形成背面金属层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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