[发明专利]制备含硅膜的方法

摘要

本发明提供了制备含硅膜的方法。本文描述了形成介电膜的方法，该膜包含硅、氧及任选的氮、碳、氢和硼。本文还公开了在待加工的物体，如半导体晶片，上形成介电膜或涂层的方法。

主权项

一种选自具有如下通式III的前体的硅前体：其中，R选自丁基、异丁基、叔丁基、戊基、叔戊基、异戊基、己基和芳基；R1和R2独立地选自甲基、乙基、丙基、异丙基、丁基、异丁基、仲丁基、叔丁基、戊基、叔戊基、异戊基、己基和芳基，其中R1和R2不能都是乙基，或R是仲丁基；R1选自甲基、乙基、丙基、异丙基、丁基、异丁基、仲丁基、叔丁基、戊基、叔戊基、异戊基、己基和芳基，和R2选自甲基、乙基、丙基、异丙基、丁基、异丁基、叔丁基、戊基、叔戊基、异戊基、己基和芳基，其中R1和R2不能都是乙基，且其中所述硅前体不是三‑正丁氧基硅烷、三‑叔丁氧基硅烷或三‑苯氧基硅烷。