[发明专利]制备含硅膜的方法

权利要求书

1.一种选自具有如下通式III的前体的硅前体：

其中，R选自丁基、异丁基、叔丁基、戊基、叔戊基、异戊基、己基和芳基；R¹和R²独立地选自甲基、乙基、丙基、异丙基、丁基、异丁基、仲丁基、叔丁基、戊基、叔戊基、异戊基、己基和芳基，其中R¹和R²不能都是乙基，或

R是仲丁基；R¹选自甲基、乙基、丙基、异丙基、丁基、异丁基、仲丁基、叔丁基、戊基、叔戊基、异戊基、己基和芳基，和R²选自甲基、乙基、丙基、异丙基、丁基、异丁基、叔丁基、戊基、叔戊基、异戊基、己基和芳基，其中R¹和R²不能都是乙基，且

其中所述硅前体不是三-正丁氧基硅烷、三-叔丁氧基硅烷或三-苯氧基硅烷。

2.如权利要求1的硅前体，其中所述芳基是具有6-12个碳原子的环状官能团，其中所述硅前体不是三-苯氧基硅烷。

3.如权利要求2的硅前体，其中所述芳基选自苯基、苯甲基、甲苯基和邻二甲苯基，其中所述硅前体不是三-苯氧基硅烷。

4.一种在衬底的至少一个表面上形成介电膜的方法，该方法包括：

在反应室中提供衬底的至少一个表面；和

将硅前体引入反应室中以形成所述介电膜，其中所述硅前体为如权利要求1-3中任一项所定义的硅前体。

5.如权利要求4的方法，其中至少一种选自氧源、氮源或其组合的源引入所述反应室中。

6.如权利要求5的方法，其中所述氧源包括氧气、臭氧或其组合。

7.如权利要求4-6中任一项的方法，其中所述形成为选自循环化学气相沉积、等离子体增强化学气相沉积或原子层沉积的至少一种。

8.如权利要求4-6中任一项的方法，其中其氮源引入所述反应室中。

9.如权利要求4-6中任一项的方法，其利用热CVD工艺，其中所述介电膜包括由XPS测量的至多30原子重量％的氮。

10.一种通过原子层沉积工艺形成含硅和氧的介电膜的方法，该方法包括如下步骤：

a.将衬底置于ALD反应器中；

b.将如权利要求1-3中任一项所定义的硅前体引入ALD反应器中；

c.用气体吹扫所述ALD反应器；

d.将氧源引入所述ALD反应器；

e.用气体吹扫所述ALD反应器；

f.重复步骤b到d直到得到需要的介电膜厚度，其中所述介电膜包括由XPS测量的至多30原子重量％的氮。

11.如权利要求4-10中任一项的方法形成的膜，具有组成Si_aO_bN_cC_dH_eB_f，其中a是10-50原子％，b是10到70原子％，c是0到30原子％，d是0到30原子％，e是0到50原子％及f是0到30原子％。

12.一种电解抛光的不锈钢容器，具有带高纯度低死体积阀的入口和出口，所述容器用于提供形成介电膜的前体，该容器包含如权利要求1-3中任一项所定义的硅前体。

13.如权利要求1-3中任一项所定义的硅前体在选自循环化学气相沉积、等离子体增强化学气相沉积和原子层沉积的沉积工艺中用于形成介电膜的用途。