[发明专利]覆有密封层的半导体元件、其制造方法及半导体装置在审
申请号: | 201310272048.3 | 申请日: | 2013-07-01 |
公开(公告)号: | CN103531514A | 公开(公告)日: | 2014-01-22 |
发明(设计)人: | 江部悠纪;片山博之;木村龙一;大西秀典;福家一浩 | 申请(专利权)人: | 日东电工株式会社 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683;H01L33/48 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇;张会华 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供一种覆有密封层的半导体元件、其制造方法及半导体装置。该制造方法具有:准备工序,准备具有形成有在厚度方向上贯通的通孔的硬质的支承板和以覆盖通孔的方式层叠在支承板的厚度方向一侧的表面的粘合层的支承片;半导体元件配置工序,将半导体元件配置在粘合层的在厚度方向上与贯通孔相对的厚度方向一侧的表面;半导体元件覆盖工序,利用密封层覆盖半导体元件,从而获得覆有密封层的半导体元件;以及半导体元件剥离工序,通过使推压部件从厚度方向另一侧插入上述通孔,从而将覆有密封层的半导体元件从粘合层剥离下来。 | ||
搜索关键词: | 密封 半导体 元件 制造 方法 装置 | ||
【主权项】:
一种覆有密封层的半导体元件的制造方法,其特征在于,具有:准备工序,准备具有粘合层和硬质的支承板的支承片,该硬质的支承板形成有在厚度方向上贯通的通孔,该粘合层以覆盖上述通孔的方式层叠在上述支承板的厚度方向一侧的表面;半导体元件配置工序,将半导体元件配置在上述粘合层的在上述厚度方向上与上述贯通孔相对的上述厚度方向一侧的表面;半导体元件覆盖工序,利用密封层覆盖上述半导体元件,从而获得具有上述半导体元件和覆盖上述半导体元件的上述密封层的覆有密封层的半导体元件;以及半导体元件剥离工序,通过使推压部件从上述厚度方向另一侧插入上述通孔,相对于上述支承板向上述厚度方向一侧推压上述粘合层的与上述通孔相对应的部分,从而使上述覆有密封层的半导体元件向上述厚度方向一侧相对移动,并且将上述覆有密封层的半导体元件从上述粘合层剥离下来。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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