[发明专利]覆有密封层的半导体元件、其制造方法及半导体装置在审

专利信息
申请号: 201310272048.3 申请日: 2013-07-01
公开(公告)号: CN103531514A 公开(公告)日: 2014-01-22
发明(设计)人: 江部悠纪;片山博之;木村龙一;大西秀典;福家一浩 申请(专利权)人: 日东电工株式会社
主分类号: H01L21/683 分类号: H01L21/683;H01L33/48
代理公司: 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 代理人: 刘新宇;张会华
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明提供一种覆有密封层的半导体元件、其制造方法及半导体装置。该制造方法具有:准备工序,准备具有形成有在厚度方向上贯通的通孔的硬质的支承板和以覆盖通孔的方式层叠在支承板的厚度方向一侧的表面的粘合层的支承片;半导体元件配置工序,将半导体元件配置在粘合层的在厚度方向上与贯通孔相对的厚度方向一侧的表面;半导体元件覆盖工序,利用密封层覆盖半导体元件,从而获得覆有密封层的半导体元件;以及半导体元件剥离工序,通过使推压部件从厚度方向另一侧插入上述通孔,从而将覆有密封层的半导体元件从粘合层剥离下来。
搜索关键词: 密封 半导体 元件 制造 方法 装置
【主权项】:
一种覆有密封层的半导体元件的制造方法,其特征在于,具有:准备工序,准备具有粘合层和硬质的支承板的支承片,该硬质的支承板形成有在厚度方向上贯通的通孔,该粘合层以覆盖上述通孔的方式层叠在上述支承板的厚度方向一侧的表面;半导体元件配置工序,将半导体元件配置在上述粘合层的在上述厚度方向上与上述贯通孔相对的上述厚度方向一侧的表面;半导体元件覆盖工序,利用密封层覆盖上述半导体元件,从而获得具有上述半导体元件和覆盖上述半导体元件的上述密封层的覆有密封层的半导体元件;以及半导体元件剥离工序,通过使推压部件从上述厚度方向另一侧插入上述通孔,相对于上述支承板向上述厚度方向一侧推压上述粘合层的与上述通孔相对应的部分,从而使上述覆有密封层的半导体元件向上述厚度方向一侧相对移动,并且将上述覆有密封层的半导体元件从上述粘合层剥离下来。
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