[发明专利]覆有密封层的半导体元件、其制造方法及半导体装置

权利要求书

1.一种覆有密封层的半导体元件的制造方法，其特征在于，具有：

准备工序，准备具有粘合层和硬质的支承板的支承片，该硬质的支承板形成有在厚度方向上贯通的通孔，该粘合层以覆盖上述通孔的方式层叠在上述支承板的厚度方向一侧的表面；

半导体元件配置工序，将半导体元件配置在上述粘合层的在上述厚度方向上与上述贯通孔相对的上述厚度方向一侧的表面；

半导体元件覆盖工序，利用密封层覆盖上述半导体元件，从而获得具有上述半导体元件和覆盖上述半导体元件的上述密封层的覆有密封层的半导体元件；以及

半导体元件剥离工序，通过使推压部件从上述厚度方向另一侧插入上述通孔，相对于上述支承板向上述厚度方向一侧推压上述粘合层的与上述通孔相对应的部分，从而使上述覆有密封层的半导体元件向上述厚度方向一侧相对移动，并且将上述覆有密封层的半导体元件从上述粘合层剥离下来。

2.根据权利要求1所述的覆有密封层的半导体元件的制造方法，其特征在于，

上述密封层由密封片形成。

3.根据权利要求1所述的覆有密封层的半导体元件的制造方法，其特征在于，

上述半导体元件覆盖工序具有：

层配置工序，在上述半导体元件配置工序之后，将由含有固化性树脂的密封树脂组合物形成的上述密封层以埋设上述半导体元件的方式配置在上述支承片的上述厚度方向一侧；

密封工序，使上述密封层固化，利用挠性的上述密封层密封上述半导体元件；以及

切断工序，在上述密封工序之后，与上述半导体元件相对应地切断挠性的上述密封层，从而获得具有上述半导体元件和覆盖上述半导体元件的上述密封层的上述覆有密封层的半导体元件。

4.根据权利要求3所述的覆有密封层的半导体元件的制造方法，其特征在于，

在上述层配置工序中，利用B阶段的上述密封层埋设上述半导体元件，

在上述密封工序中，使上述密封层固化从而达到C阶段，利用C阶段的上述密封层密封上述半导体元件。

5.根据权利要求1所述的覆有密封层的半导体元件的制造方法，其特征在于，

在上述准备工序中，以预先设置在上述切断工序中作为切断基准的基准标记的方式准备上述支承片。

6.根据权利要求1所述的覆有密封层的半导体元件的制造方法，其特征在于，

上述半导体元件为LED，

上述密封层为荧光体层。

7.根据权利要求1所述的覆有密封层的半导体元件的制造方法，其特征在于，

上述密封层具有：

覆盖部，其用于覆盖上述半导体元件；以及

反射部，其含有光反射成分，以包围上述覆盖部的方式形成。

8.一种覆有密封层的半导体元件，其特征在于，其是由如下的覆有密封层的半导体元件的制造方法获得的，该覆有密封层的半导体元件的制造方法具有：

准备工序，准备具有粘合层和硬质的支承板的支承片，该硬质的支承板形成有在厚度方向上贯通的通孔，该粘合层以覆盖上述通孔的方式层叠在上述支承板的厚度方向一侧的表面；

半导体元件配置工序，将半导体元件配置在上述粘合层的在上述厚度方向上与上述贯通孔相对的上述厚度方向一侧的表面；

半导体元件覆盖工序，利用密封层覆盖上述半导体元件，从而获得具有上述半导体元件和覆盖上述半导体元件的上述密封层的覆有密封层的半导体元件；以及

半导体元件剥离工序，通过使推压部件从上述厚度方向另一侧插入上述通孔，相对于上述支承板向上述厚度方向一侧推压上述粘合层的与上述通孔相对应的部分，从而使上述覆有密封层的半导体元件向上述厚度方向一侧相对移动，并且将上述覆有密封层的半导体元件从上述粘合层剥离下来。

9.一种半导体装置，其特征在于，

具有基板及安装于上述基板的覆有密封层的半导体元件，

该覆有密封层的半导体元件是由如下的覆有密封层的半导体元件的制造方法获得的，该覆有密封层的半导体元件的制造方法具有：

准备工序，准备具有粘合层和硬质的支承板的支承片，该硬质的支承板形成有在厚度方向上贯通的通孔，该粘合层以覆盖上述通孔的方式层叠在上述支承板的厚度方向一侧的表面；

半导体元件配置工序，将半导体元件配置在上述粘合层的在上述厚度方向上与上述贯通孔相对的上述厚度方向一侧的表面；

半导体元件覆盖工序，利用密封层覆盖上述半导体元件，从而获得具有上述半导体元件和覆盖上述半导体元件的上述密封层的覆有密封层的半导体元件；以及

半导体元件剥离工序，通过使推压部件从上述厚度方向另一侧插入上述通孔，相对于上述支承板向上述厚度方向一侧推压上述粘合层的与上述通孔相对应的部分，从而使上述覆有密封层的半导体元件向上述厚度方向一侧相对移动，并且将上述覆有密封层的半导体元件从上述粘合层剥离下来。