[发明专利]制造氮化镓基板的方法和由该方法制造的氮化镓基板无效
| 申请号： | 201310271109.4 | 申请日： | 2013-07-01 |
| 公开（公告）号： | CN103526296A | 公开（公告）日： | 2014-01-22 |
| 发明（设计）人： | 林圣根;朴甫益;禹广济;金宇理汉;金俊会;朴喆民;裵峻莹;李东龙;李原兆;崔准成 | 申请（专利权）人： | 三星康宁精密素材株式会社 |
| 主分类号： | C30B29/40 | 分类号： | C30B29/40;C30B23/02;C30B25/02;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人： | 康泉;王珍仙 |
| 地址： | 韩国庆*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 制造氮化镓（GaN）基板的方法和由该方法制造的GaN基板。该方法包括在基底基板上生长GaN膜和从GaN膜分离基底基板的步骤。生长GaN膜的步骤包括在GaN膜中形成凹点，该凹点诱导倒反畴界在GaN膜的内部形成。GaN基板可具有在层转移（LT）工艺过程中可用来操控基板的预定厚度，并且GaN基板的翘曲可达最小化，从而防止由于翘曲引起的裂纹。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 氮化 镓基板 方法 | ||
【主权项】：
一种制造氮化镓基板的方法，包括：在基底基板上生长氮化镓膜；和从所述氮化镓膜分离所述基底基板，其中，生长所述氮化镓膜包括在所述氮化镓膜中形成凹点，所述凹点诱导倒反畴界在所述氮化镓膜的内部形成。
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