[发明专利]制造氮化镓基板的方法和由该方法制造的氮化镓基板无效
| 申请号： | 201310271109.4 | 申请日： | 2013-07-01 |
| 公开（公告）号： | CN103526296A | 公开（公告）日： | 2014-01-22 |
| 发明（设计）人： | 林圣根;朴甫益;禹广济;金宇理汉;金俊会;朴喆民;裵峻莹;李东龙;李原兆;崔准成 | 申请（专利权）人： | 三星康宁精密素材株式会社 |
| 主分类号： | C30B29/40 | 分类号： | C30B29/40;C30B23/02;C30B25/02;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人： | 康泉;王珍仙 |
| 地址： | 韩国庆*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 制造 氮化 镓基板 方法 | ||
1.一种制造氮化镓基板的方法，包括：
在基底基板上生长氮化镓膜；和
从所述氮化镓膜分离所述基底基板，
其中，生长所述氮化镓膜包括在所述氮化镓膜中形成凹点，所述凹点诱导倒反畴界在所述氮化镓膜的内部形成。
2.根据权利要求1所述的方法，其中，生长所述氮化镓膜包括设置氮与镓的含量比为20:1或更大，从而增加所述凹点的密度。
3.根据权利要求1所述的方法，其中，生长所述氮化镓膜包括设置所述氮化镓膜的生长温度为低于970℃，从而增加所述凹点的密度。
4.根据权利要求1所述的方法，其中，生长所述氮化镓膜包括生长所述氮化镓膜的多层结构。
5.根据权利要求4所述的方法，其中，生长所述氮化镓膜包括：
在所述基底基板上生长第一氮化镓膜；
在所述第一氮化镓膜上生长第二氮化镓膜，所述第二氮化镓膜的氮与镓的含量比小于所述第一氮化镓膜的氮与镓的含量比；和
在所述第二氮化镓膜上生长第三氮化镓膜，所述第三氮化镓膜的氮与镓的含量比大于所述第二氮化镓膜的氮与镓的含量比。
6.根据权利要求5所述的方法，进一步包括在分离所述基底基板后去除所述第一氮化镓膜。
7.根据权利要求5所述的方法，其中，所述第一氮化镓膜通过设置氮与镓的含量比为20:1或更大而生长，所述第三氮化镓膜通过设置氮与镓的含量比为20:1或更大而生长。
8.根据权利要求5所述的方法，其中，所述第二氮化镓膜通过设置氮与镓的含量比为2:1或更小而生长。
9.根据权利要求5所述的方法，其中，所述第三氮化镓膜生长至厚度大于所述第一氮化镓膜的厚度且大于所述第二氮化镓膜的厚度。
10.根据权利要求5所述的方法，进一步包括在分离所述基底基板后完全去除所述第一氮化镓膜并部分去除所述第二氮化镓膜。
11.根据权利要求10所述的方法，进一步包括在分离所述基底基板后部分去除所述第三氮化镓膜。
12.根据权利要求11所述的方法，其中，将所述第二氮化镓膜与所述第三氮化镓膜部分去除，以使部分去除的第二氮化镓膜的厚度和部分去除的第三氮化镓膜的厚度总计在200μm至400μm的范围内。
13.根据权利要求5所述的方法，其中，所述第二氮化镓膜以低于所述第一氮化镓膜和所述第三氮化镓膜的生长速率生长。
14.根据权利要求5所述的方法，其中，所述第二氮化镓膜在高于所述第一氮化镓膜和所述第三氮化镓膜的温度下生长。
15.一种氮化镓基板，包含：
第一氮化镓膜；和
在所述第一氮化镓膜上层叠的第二氮化镓膜，所述第二氮化镓膜的氮与镓的含量比大于所述第一氮化镓膜的氮与镓的含量比。
16.根据权利要求15所述的氮化镓基板，其中，所述第一氮化镓膜的N面的X射线衍射（XRD）摇摆曲线的半峰全宽（FWHM）为100角秒或更小。
17.根据权利要求15所述的氮化镓基板，其中，所述第二氮化镓膜的N面的X射线衍射（XRD）摇摆曲线的半峰全宽（FWHM）为200角秒或更大。
18.根据权利要求15所述的氮化镓基板，其中，所述氮化镓基板的厚度在200μm至400μm的范围内。
19.根据权利要求15所述的氮化镓基板，其中，所述氮化镓基板的翘曲在200μm至300μm的范围内。
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