[发明专利]带散热的功率晶体管及其形成方法有效
| 申请号： | 201310267931.3 | 申请日： | 2013-06-28 |
| 公开（公告）号： | CN103531564B | 公开（公告）日： | 2017-12-22 |
| 发明（设计）人： | 丁珉 | 申请（专利权）人： | 恩智浦美国有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/495 | 分类号： | H01L23/495;H01L21/60;H01L23/36 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所11038 | 代理人： | 秦晨 |
| 地址： | 美国得*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及带散热的功率晶体管及其形成方法。器件包括衬底、附接于一侧上的所述衬底的集成电路（IC）管芯、多个位于所述IC管芯的有源侧上的接触焊盘、多个导热且导电支脚，所述支脚中的每一个附接于所述其中一个接触焊盘上、以及形成于所述衬底、所述IC管芯和所述支脚的一部分周围的封装材料。所述支脚中的每一个的接触端部被暴露，并且所述接触端部的其中一个传导来自所述IC管芯内的晶体管的信号。 | ||
| 搜索关键词： | 散热 功率 晶体管 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种功率晶体管器件，包括：衬底；在一侧上附接于所述衬底的集成电路(IC)管芯；所述集成电路(IC)管芯的有源侧上的多个接触焊盘；导热且导电的多个支脚，所述支脚中的每一个附接于所述接触焊盘中的相应一个；以及形成于所述衬底、所述集成电路(IC)管芯和所述支脚的一部分周围的封装材料，其中所述支脚中的每一个的顶表面被暴露以形成接触端部，所述接触端部通过一个或多个凹槽而彼此分开，并且所述接触端部中的一个传导来自所述集成电路(IC)管芯内的晶体管的信号。
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