[发明专利]半导体装置和结构有效
| 申请号： | 201310260365.3 | 申请日： | 2013-06-26 |
| 公开（公告）号： | CN103515378B | 公开（公告）日： | 2017-04-12 |
| 发明（设计）人： | 克日什托夫·多曼斯基 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02;H01L21/82 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司11240 | 代理人： | 余刚,吴孟秋 |
| 地址： | 德国瑙伊*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供了半导体装置和结构、以及方法，其中围绕半导体装置的衬底经由电阻元件偏置。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 结构 | ||
【主权项】：
一种半导体设备，包括：衬底：布置在所述衬底中的半导体装置：接触元件，至少部分地围绕所述半导体装置以电接触所述衬底，所述接触元件经由不同于所述衬底的电阻元件耦接至供给电压，其中，所述电阻元件位于所述衬底上方，并且其中所述半导体装置设置在第一极性的阱中；以及其中，所述衬底具有与所述第一极性不同的第二极性以与所述阱形成pn结。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
