[发明专利]用于稳定嵌入硅的方法无效
申请号: | 201310251944.1 | 申请日: | 2013-04-19 |
公开(公告)号: | CN103378069A | 公开(公告)日: | 2013-10-30 |
发明(设计)人: | S·X·阿诺德 | 申请(专利权)人: | 苹果公司 |
主分类号: | H01L23/58 | 分类号: | H01L23/58;H01L21/56 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人: | 冯玉清 |
地址: | 美国加*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 本发明公开了用于稳定嵌入硅的方法。还公开了稳定嵌入在树脂中的集成电路的方法。在一实施例中,稳定通路可形成在树脂中且可与所述集成电路中的对应垫耦合。稳定通路可用于当树脂/集成电路组合经受应力或一定量的位移时易于失效的区域。在一实施例中,所述稳定通路可以是不传输来往于所述集成电路的电信号或功率的非功能性通路。 | ||
搜索关键词: | 用于 稳定 嵌入 方法 | ||
【主权项】:
一种稳定嵌入在衬底中的集成电路的方法,该方法包括:确定与在该集成电路上的至少一个断裂区域内提供稳定性的至少一个稳定通路的位置对应的贴附图案,所述至少一个断裂区域是基于所述衬底和所述集成电路的物理和材料特性的;根据所确定的贴附图案,在所述集成电路上设置至少一个垫,所述至少一个垫对应于所述至少一个稳定通路的位置;将所述集成电路嵌入在所述衬底内,其中所述衬底围绕并包封所述集成电路的所有面;形成穿过所述衬底到达所述至少一个垫的至少一个孔;以及通过用通路材料填充所述至少一个孔来形成所述至少一个稳定通路,从而将所述至少一个断裂区域锚固到所述衬底。
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