[发明专利]用于在FinFET沟道中诱导应变的方法有效
| 申请号： | 201310239660.0 | 申请日： | 2013-06-17 |
| 公开（公告）号： | CN103996709B | 公开（公告）日： | 2018-05-04 |
| 发明（设计）人： | 让-皮埃尔·科林格;江国诚 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司11409 | 代理人： | 章社杲,孙征 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 用于在FinFET沟道中诱导应变的方法。本文公开了一种FinFET，其中位于鳍内的膨胀材料(通常是鳍半导体的氧化物)产生显著增大FinFET沟道内的电荷载流子迁移率的应变。该构思可以应用到p型或n型FinFET。对于p型FinFET，膨胀材料设置在源极区和漏极区的下方。对于n型FinFET，膨胀材料设置在沟道区的下方。膨胀材料可以与源极区和漏极区上的应变诱导外延或不与源极区和漏极区上的应变诱导外延一起使用，并且可以提供比单独使用应变诱导外延实现的应变更大的应变。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 finfet 沟道 诱导 应变 方法 | ||
【主权项】：
一种集成电路器件，包括：p型FinFET，包括第一半导体鳍并且具有第一源极、第一漏极和第一沟道；以及第一膨胀材料，仅仅位于所述第一源极和所述第一漏极的下方，所述第一膨胀材料在所述第一沟道内引起压缩应变，所述压缩应变显著增大所述第一沟道内的电荷载流子迁移率，其中，所述第一沟道包括第一半导体材料，所述第一膨胀材料是形成部分所述第一半导体鳍的第二半导体材料的氧化形式，所述第二半导体材料具有不同于所述第一半导体材料的组成。
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