[发明专利]薄膜晶体管阵列基板及其沟道形成方法无效
| 申请号： | 201310239235.1 | 申请日： | 2013-06-17 |
| 公开（公告）号： | CN103311129A | 公开（公告）日： | 2013-09-18 |
| 发明（设计）人： | 许宗义 | 申请（专利权）人： | 深圳市华星光电技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/786;H01L29/04;H01L29/10;H01L27/02 |
| 代理公司： | 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 | 代理人： | 刁文魁;唐秀萍 |
| 地址： | 518132 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种薄膜晶体管阵列基板及其沟道形成方法，所述方法包括：提供基板，在所述基板上形成非晶硅层；对所述非晶硅层进行刻蚀处理，以形成非晶硅图形；在所述非晶硅图形中的每一非晶硅层形成一断开空间；对已形成断开空间的非晶硅图形进行激光照射处理，以使得所述断开空间两侧的非晶硅层内的晶粒在温度差的作用下朝着所述断开空间方向生长，并在所述断开空间内结晶形成薄膜晶体管的沟道。本发明可提高形成的沟道的电子迁移率，并使得TFT的电性更加均匀。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 阵列 及其 沟道 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种薄膜晶体管阵列基板的沟道形成方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：提供基板，在所述基板上形成非晶硅层；对所述非晶硅层进行刻蚀处理，以形成包括多个非晶硅层的非晶硅图形；在所述非晶硅图形中的每一非晶硅层形成一断开空间；对已形成断开空间的非晶硅图形进行激光照射处理，以使得位于所述断开空间两侧的非晶硅层内的晶粒在温度差的作用下朝着所述断开空间方向生长，并在所述断开空间内结晶形成薄膜晶体管的沟道。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
