[发明专利]薄膜晶体管阵列基板及其沟道形成方法

权利要求书

1.一种薄膜晶体管阵列基板的沟道形成方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：

提供基板，在所述基板上形成非晶硅层；

对所述非晶硅层进行刻蚀处理，以形成包括多个非晶硅层的非晶硅图形；

在所述非晶硅图形中的每一非晶硅层形成一断开空间；

对已形成断开空间的非晶硅图形进行激光照射处理，以使得位于所述断开空间两侧的非晶硅层内的晶粒在温度差的作用下朝着所述断开空间方向生长，并在所述断开空间内结晶形成薄膜晶体管的沟道。

2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管阵列基板的沟道形成方法，其特征在于，所述断开空间沿一长度方向延伸，所述断开空间具有一与所述长度方向垂直的宽度，所述宽度的范围为1~3微米。

3.根据权利要求1所述的薄膜晶体管阵列基板的沟道形成方法，其特征在于，所述沟道包括第一结晶区和第二结晶区，所述第一结晶区和第二结晶区中的晶粒边界均与所述第一结晶区和第二结晶区之间的界面垂直。

4.根据权利要求1所述的薄膜晶体管阵列基板的沟道形成方法，其特征在于，在所述非晶硅图形中的每一非晶硅层形成一断开空间的步骤具体包括：

通过刻蚀的方式在所述非晶硅图形中的每一非晶硅层形成所述断开空间。

5.根据权利要求1所述的薄膜晶体管阵列基板的沟道形成方法，其特征在于，所述断开空间沿一长度方向延伸，所述激光的扫描方向与所述长度方向垂直或者平行。

6.根据权利要求1所述的薄膜晶体管阵列基板的沟道形成方法，其特征在于，所述断开空间沿一长度方向延伸，所述激光的扫描方向与所述长度方向的夹角为0至90度。

7.根据权利要求1所述的薄膜晶体管阵列基板的沟道形成方法，其特征在于，所述激光的扫描间距的范围在0至30微米之间。

8.一种薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，其包括：

基板；

沟道，形成于所述基板上，所述沟道包括：

第一结晶区；

第二结晶区；

所述第一结晶区和所述第二结晶区中的晶粒边界均与所述第一结晶区和第二结晶区之间的界面垂直。

9.根据权利要求8所述的薄膜晶体管阵列基板，其特征在于：

所述第一结晶区和所述第二结晶区由处于一断开空间两侧的非晶硅层经激光照射形成，且所述第一结晶区和所述第二结晶区形成于所述断开空间内，所述断开空间沿一长度方向延伸，所述断开空间的宽度与所述长度方向垂直，所述宽度的范围为1~3微米。

10.根据权利要求8所述的薄膜晶体管阵列基板，其特征在于：所述薄膜晶体管阵列基板还包括有缓冲层，所述缓冲层设置于所述基板和所述沟道之间。