[发明专利]沟槽式金属氧化物半导体肖特基势垒器件的制造方法

摘要

本发明提供沟槽式MOS肖特基势垒器件制造方法，包括提供形成有外延层的半导体衬底，在该外延层内形成沟槽；在沟槽内形成栅极氧化物层和多晶硅层；在外延层表面形成氧化物层；依次形成刻蚀停止层和第一光刻胶层，在所述第一光刻胶层内形成第一开口；以第一光刻胶层为掩膜进行刻蚀工艺，去除所述第一开口下方的刻蚀停止层；去除所述第一光刻胶层，露出下方的刻蚀停止层；在刻蚀停止层和部分氧化层上形成层间介质层；形成沟槽式金属氧化物晶体管接触孔；在所述层间介质层上形成具有第二开口的第二光刻胶层；形成肖特基接触孔，露出下方的部分栅介质层和多晶硅层。本发明提高了刻蚀工艺的稳定性，提高了器件的性能。

主权项

一种沟槽式金属氧化物半导体肖特基势垒器件的制作方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成外延层；在所述外延层内形成沟槽；在所述沟槽的侧壁及底部形成栅极氧化物层；在所述沟槽中形成多晶硅层；在所述外延层内形成阱区和源区；进行热退火工艺以进行离子的推进再分布，同时在外延层表面形成氧化层；在所述氧化层上形成刻蚀停止层；在所述刻蚀停止层上形成第一光刻胶层，所述第一光刻胶层为负光刻胶；以肖特基接触孔掩模版为掩模进行曝光工艺，在所述第一光刻胶层内形成第一开口；以所述第一光刻胶层为掩膜进行刻蚀工艺，去除所述第一开口下方的刻蚀停止层，露出部分氧化层；去除所述第一光刻胶层，露出下方的刻蚀停止层；在所述刻蚀停止层和所述部分氧化层上形成层间介质层；在所述层间介质层上形成具有图案的第三光刻胶层，进行刻蚀工艺，形成沟槽式金属氧化物晶体管接触孔；去除所述第三光刻胶层；在所述层间介质层上形成第二光刻胶层，所述第二光刻胶层为正光刻胶；以肖特基接触孔掩模版作为掩模进行曝光，在所述第二光刻胶层内形成第二开口；以所述第二开口为掩膜，分步对层间介质层和刻蚀停止层、氧化层和半导体衬底进行刻蚀，形成肖特基接触孔，露出下方的部分栅极氧化物层和多晶硅层。