[发明专利]半导体发光结构无效
| 申请号： | 201310210848.2 | 申请日： | 2013-05-30 |
| 公开（公告）号： | CN103296164A | 公开（公告）日： | 2013-09-11 |
| 发明（设计）人： | 陈勇 | 申请（专利权）人： | 光垒光电科技（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/12;H01L33/30 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 200050 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体发光结构，该半导体发光结构包括衬底以及依次形成于所述衬底一侧的第一半导体层、量子阱发光层以及第二半导体层；所述量子阱发光层至少包括两个周期的阱层和垒层，在同一周期中，所述阱层位于靠近所述衬底的一侧；至少一个所述垒层与相邻周期的所述阱层之间具有一第一缓冲层，其中，所述第一缓冲层的材料与所述垒层的材料的晶格失配度以及所述第一缓冲层的材料与所述阱层的材料的晶格失配度均小于所述垒层的材料与所述阱层的材料的晶格失配度。本发明的所述半导体发光结构中，所述阱层对的所述垒层的应力得到缓冲，从而减少因应力造成的晶格缺陷，进一步提高发光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 发光 结构 | ||
【主权项】：
一种半导体发光结构，包括：衬底以及依次形成于所述衬底一侧的第一半导体层、量子阱发光层以及第二半导体层；其中，所述第一半导体层、量子阱发光层和第二半导体层的材料均为III‑V族半导体材料，所述量子阱发光层至少包括两个周期的阱层和垒层，在同一周期中，所述阱层位于靠近所述衬底的一侧；其特征在于：至少一个所述垒层与相邻周期的所述阱层之间具有一第一缓冲层，所述第一缓冲层面向所述垒层的一侧接触所述垒层，所述第一缓冲层面向所述阱层的一侧接触所述阱层，其中，所述第一缓冲层的材料与所述垒层的材料的晶格失配度以及所述第一缓冲层的材料与所述阱层的材料的晶格失配度均小于所述垒层的材料与所述阱层的材料的晶格失配度。
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