[发明专利]半导体发光结构

权利要求书

1.一种半导体发光结构，包括：衬底以及依次形成于所述衬底一侧的第一半导体层、量子阱发光层以及第二半导体层；其中，所述第一半导体层、量子阱发光层和第二半导体层的材料均为III-V族半导体材料，所述量子阱发光层至少包括两个周期的阱层和垒层，在同一周期中，所述阱层位于靠近所述衬底的一侧；

其特征在于：至少一个所述垒层与相邻周期的所述阱层之间具有一第一缓冲层，所述第一缓冲层面向所述垒层的一侧接触所述垒层，所述第一缓冲层面向所述阱层的一侧接触所述阱层，其中，所述第一缓冲层的材料与所述垒层的材料的晶格失配度以及所述第一缓冲层的材料与所述阱层的材料的晶格失配度均小于所述垒层的材料与所述阱层的材料的晶格失配度。

2.如权利要求1所述的半导体发光结构，其特征在于：所述阱层的材料为包括第一V族元素、第一III族元素和第二III族元素的化合物，所述垒层的材料为包括第一V族元素和第一III族元素的化合物，所述第一缓冲层也为III-V族半导体材料，所述第一缓冲层的材料为包括第一V族元素、第一III族元素和第二III族元素的化合物，其中，所述第一缓冲层的材料中第二III族元素的浓度低于所述阱层的材料中第二III族元素的浓度。

3.如权利要求2所述的半导体发光结构，其特征在于：所述第一缓冲层的材料中第二III族元素的浓度非均匀分布，所述第二III族元素的浓度自面向所述垒层的一侧至面向所述阱层的一侧逐渐升高。

4.如权利要求2所述的半导体发光结构，其特征在于：所述第一缓冲层包括层叠的若干第一子缓冲层，其中，所述若干第一子缓冲层的材料中所述第二III族元素的浓度自靠近所述垒层的所述第一子缓冲层至远离所述垒层的所述第一子缓冲层逐渐升高。

5.如权利要求2所述的半导体发光结构，其特征在于：所述第一III族元素为镓，所述第二III族元素为铟或铝，所述V族元素为磷、砷或氮。

6.如权利要求5所述的半导体发光结构，其特征在于：所述第一半导体层为氮化镓第一半导体层，所述第二半导体层为氮化镓第二半导体层，所述量子阱发光层为周期的氮化铟镓/氮化镓量子阱层。

7.如权利要求2-6中任意一项所述的半导体发光结构，其特征在于：至少一个所述阱层与其同一周期的所述垒层之间具有一第二缓冲层，所述第二缓冲层面向所述阱层的一侧接触所述阱层，所述第二缓冲层面向所述垒层的一侧接触所述垒层，其中，所述第二缓冲层的材料与所述垒层的材料的晶格失配度以及所述第二缓冲层的材料与所述阱层的材料的晶格失配度均小于所述垒层的材料与所述阱层的材料的晶格失配度，所述第二缓冲层的材料为包括V族元素、第一III族元素和第二III族元素的化合物，其中，所述第二缓冲层的材料中第二III族元素的浓度低于所述阱层的材料中第二III族元素的浓度。

8.如权利要求7所述的半导体发光结构，其特征在于：所述任一阱层面向所述衬底的一侧具有所述第一缓冲层，且背离所述衬底的一侧具有所述第二缓冲层。

9.如权利要求7所述的半导体发光结构，其特征在于：所述第二缓冲层的材料中第二III族元素的浓度非均匀分布，所述第二III族元素的浓度自面向所述垒层的一侧至面向所述阱层的一侧逐渐降低。

10.如权利要求7所述的半导体发光结构，其特征在于：所述第二缓冲层包括层叠的若干第二子缓冲层，其中，所述第二子缓冲层的材料中第二III族元素的浓度自靠近所述垒层的所述第二子缓冲层至远离所述垒层的所述第二子缓冲层逐渐降低。

11.如权利要求1所述的半导体发光结构，其特征在于：所述第一半导体层为N型半导体层，所述第二半导体层为P型半导体层。