[发明专利]阵列基板及其制作方法，显示装置

摘要

本发明涉及显示技术领域，公开了一种阵列基板制作方法，包括步骤：在基板上同一层形成包括驱动薄膜晶体管的有源层、开关薄膜晶体管的有源层及像素电极的图形；形成包括栅绝缘层、驱动薄膜晶体管的栅极及开关薄膜晶体管的栅极的图形；对驱动薄膜晶体管的有源层进行掺杂；形成包括绝缘间隔层、位于所述绝缘间隔层上的过孔及像素电极凹槽的图形，所述像素电极凹槽使像素电极图形暴露出来；形成包括驱动薄膜晶体管的源极、漏极的图形，及开关薄膜晶体管的源极、漏极的图形，使驱动薄膜晶体管的漏极连接所述像素电极；形成包括像素电极定义层的图形。本发明减少了制作过程的中的Mask工序，节省了工艺流程和制作成本。

主权项

一种阵列基板制作方法，其特征在于，包括步骤：S1：在基板上同一层形成包括驱动薄膜晶体管的有源层的图形、开关薄膜晶体管的有源层的图形及像素电极的图形；S2:在完成S1步骤的基板上形成包括栅绝缘层的图形、驱动薄膜晶体管的栅极的图形及开关薄膜晶体管的栅极的图形；S3：在完成S2步骤的基板上对驱动薄膜晶体管的有源层进行掺杂；S4：在完成S3步骤的基板上形成包括绝缘间隔层、位于所述绝缘间隔层上的过孔及像素电极凹槽的图形，所述像素电极凹槽使像素电极图形暴露出来；S5：在完成步骤S4的基板上形成包括驱动薄膜晶体管的源极、漏极的图形，及开关薄膜晶体管的源极、漏极的图形，使驱动薄膜晶体管的漏极连接所述像素电极；S6：在完成步骤S5的基板上形成包括像素电极定义层的图形。