[发明专利]固体拍摄装置及其制造方法无效
申请号: | 201310205494.2 | 申请日: | 2013-05-29 |
公开(公告)号: | CN103811505A | 公开(公告)日: | 2014-05-21 |
发明(设计)人: | 斋藤淳 | 申请(专利权)人: | 株式会社东芝 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H01L27/148 |
代理公司: | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人: | 万利军;陈海红 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供固体拍摄装置的制造方法以及固体拍摄装置。实施方式的固体拍摄装置的制造方法包括下述工序:将半导体基板薄型化;形成多个掩模图形;和在所述半导体基板的背面形成具有相对于所述半导体基板的表面倾斜的倾斜面的槽。在要薄型化的所述半导体基板的表面按网格状设有多个光受光部,在要薄型化的所述半导体基板的表面上设有包括金属布线的布线层。所述多个掩模图形在薄型化了的所述半导体基板的所述背面上按网格状排列形成。所述槽通过用具有各向异性的蚀刻特性的蚀刻液对所述掩模图形之间的所述半导体基板进行蚀刻而形成。 | ||
搜索关键词: | 固体 拍摄 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种固体拍摄装置的制造方法,其特征在于,将在表面按网格状具有多个光受光部且在表面上具有包括金属布线的布线层的半导体基板薄型化,在薄型化了的所述半导体基板的背面上按网格状排列形成多个掩模图形,通过具有各向异性的蚀刻特性的蚀刻液对所述掩模图形之间的所述半导体基板进行蚀刻,从而在所述半导体基板的背面形成具有相对于所述半导体基板的表面倾斜的倾斜面的槽。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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