[发明专利]固体拍摄装置及其制造方法

说明书

技术领域

本实施方式一般而言涉及固体拍摄装置的制造方法以及固体拍摄装置。

背景技术

在CCD、CMOS图像传感器等固体拍摄装置中、特别是在便携电话机用照相机用的固体拍摄装置中，寻求多像素化以及装置尺寸的缩小。作为能够兼顾这两个方面的固体拍摄装置，已知在薄型化了的半导体基板的表面上有布线层、从半导体基板的背面侧接受入射光的所谓背面照射型的固体拍摄装置（BSI:Back Side Illumination Solid State Image Sensor）。

在BSI中，因为入射光从半导体基板的背面侧入射，所以在半导体基板的背面入射光被进行光电转换而产生电荷。相对于此，光受光部设置在半导体基板的表面。因此，在BSI中，存在电荷产生的位置与光受光部的距离远这样的问题。如果电荷产生的位置与光受光部的距离远，则电荷没有到达本来应该到达的光受光部而是到达了相邻的其他像素的光受光部，存在发生混色这样的问题。就波长短（能量高）的入射光的蓝色分量而言，在半导体基板的背面的极浅的位置被进行光电转换，所以上述问题显著发生。

作为能够解决该问题的BSI，已知光受光部从半导体基板的表面向背面方向较深地形成的BSI。为了形成这样的光受光部，需要将用于形成光受光部的离子注入的加速电压提高至2，000～3，000kev左右。但是，因为由于提高加速电压导致半导体基板的晶体缺陷密度上升，所以在制造出的BSI中会发生所谓白斑不良（在暗处表现为光点的不良）。

发明内容

本发明要解决的问题在于提供能够抑制混色且抑制拍摄特性的劣化的固体拍摄装置的制造方法、以及固体拍摄装置。

实施方式的固体拍摄装置的制造方法，其特征在于：将在表面按网格状具有多个光受光部且在表面上具有包括金属布线的布线层的半导体基板薄型化；在薄型化了的所述半导体基板的背面上按网格状排列形成多个掩模图形；通过用具有各向异性的蚀刻特性的蚀刻液对所述掩模图形间的所述半导体基板进行蚀刻，在所述半导体基板的背面形成具有相对于所述半导体基板的表面倾斜的倾斜面的槽。

其他实施方式的固体拍摄装置的制造方法，其特征在于，将在表面按网格状具有多个光受光部且在表面上具有包括金属布线的布线层的半导体基板薄型化；在薄型化了的所述半导体基板的所述背面上形成绝缘膜；在所述绝缘膜的背面上形成光致抗蚀剂膜；用掩模对所述光致抗蚀剂膜的背面进行曝光，该掩模具有：与所述光受光部的排列相应地按网格状设置的多个非透射区域；以及透射区域，该透射区域为这些非透射区域之间且以使得越向所述非透射区域之间的中央则光的透射率越高的方式进行了调整；通过对曝光了的所述光致抗蚀剂膜进行显影，在所述光致抗蚀剂膜的背面形成具有相对于所述半导体基板的表面倾斜的倾斜面的槽，将所述槽的形状复制到所述绝缘膜的背面。

另外，其他实施方式的固体拍摄装置，其特征在于，具备：半导体基板，其在表面具有按网格状设置的多个光受光部；光聚光部，其在该半导体基板的背面按每个所述光受光部设置，具有：相对于所述半导体基板的表面平行的平面部以及多个倾斜面，其包围该平面部并相对于所述半导体基板的表面倾斜；和在所述半导体基板的表面上设置的包括金属布线的布线层。

根据上述结构的固体拍摄装置的制造方法以及固体拍摄装置，能够抑制混色且抑制拍摄特性的劣化。

附图说明

图1是表示第1实施例涉及的固体拍摄装置的要部的俯视图。

图2是沿图1的单点划线Ｘ-Ｘ′剖切的固体拍摄装置的剖视图。

图3是用于说明第1实施例涉及的固体拍摄装置的制造方法的剖视图。

图4是用于说明第1实施例涉及的固体拍摄装置的制造方法的剖视图。

图5是用于说明第1实施例涉及的固体拍摄装置的制造方法的剖视图。

图6是用于说明第1实施例涉及的固体拍摄装置的制造方法的剖视图。

图7是用于说明第1实施例涉及的固体拍摄装置的制造方法的剖视图。

图8是用于详细地说明图7所示的半导体基板的蚀刻工序的图。

图9是用于说明由固体拍摄装置接受入射光的情况的说明图，图9（a）是用于说明由第1实施例涉及的固体拍摄装置接受入射光的情况的说明图，图9（b）是用于说明由半导体基板的背面平坦的现有的固体拍摄装置接受入射光的情况的说明图。

图10是表示第2实施例涉及的固体拍摄装置的要部的与图2相对应的剖视图。

图11是用于说明第2实施例涉及的固体拍摄装置的制造方法的剖视图。