[发明专利]固体拍摄装置及其制造方法

权利要求书

1.一种固体拍摄装置的制造方法，其特征在于，

将在表面按网格状具有多个光受光部且在表面上具有包括金属布线的布线层的半导体基板薄型化，

在薄型化了的所述半导体基板的背面上按网格状排列形成多个掩模图形，

通过具有各向异性的蚀刻特性的蚀刻液对所述掩模图形之间的所述半导体基板进行蚀刻，从而在所述半导体基板的背面形成具有相对于所述半导体基板的表面倾斜的倾斜面的槽。

2.根据权利要求1所述的固体拍摄装置的制造方法，其特征在于，

通过在所述半导体基板的背面形成所述槽，在所述半导体基板的背面形成多个光聚光部，该光聚光部具有：相对于所述半导体基板的表面平行的平面部；以及包围该平面部并相对于所述半导体基板的表面倾斜的多个所述倾斜面。

3.根据权利要求1所述的固体拍摄装置的制造方法，其特征在于，

所述半导体基板是背面为＜1、0、0＞面的硅基板，

所述蚀刻液是相对于所述硅基板的所述＜1、0、0＞面具有各向异性的蚀刻液。

4.根据权利要求1所述的固体拍摄装置的制造方法，其特征在于，

所述光受光部以按一定间隔相互分离的方式设置，

所述多个掩模图形以按一定间隔相互分离的方式排列。

5.根据权利要求4所述的固体拍摄装置的制造方法，其特征在于，

所述多个掩模图形之间的所述槽为Ｖ状槽。

6.根据权利要求1所述的固体拍摄装置的制造方法，其特征在于，

所述光受光部以按一定间隔相互分离的方式设置，

在所述半导体基板的中央部分排列的所述多个掩模图形，以按一定间隔相互分离的方式排列，

在所述半导体基板的周边部分排列的所述多个掩模图形，以越往所述半导体基板的外侧则它们的间隔越宽的方式排列。

7.根据权利要求6所述的固体拍摄装置的制造方法，其特征在于，

在所述半导体基板的中央部分排列的所述多个掩模图形之间的所述槽为Ｖ状槽，

在所述半导体基板的周边部分排列的所述多个掩模图形之间的所述槽为梯形的槽。

8.一种固体拍摄装置的制造方法，其特征在于，

将在表面按网格状具有多个光受光部且在表面上具有包括金属布线的布线层的半导体基板薄型化，

在薄型化了的所述半导体基板的所述背面上形成绝缘膜，

在所述绝缘膜的背面上形成光致抗蚀剂膜，

采用掩模对所述光致抗蚀剂膜的背面进行曝光，该掩模具有：多个非透射区域，其与所述光受光部的排列相应地按网格状设置；以及透射区域，其处于这些非透射区域之间并以使得越靠近所述非透射区域之间的中央则光的透射率越高的方式进行了调整，

通过对所曝光了的所述光致抗蚀剂膜进行显影，在所述光致抗蚀剂膜的背面，形成具有相对于所述半导体基板的表面倾斜的倾斜面的槽，

将所述槽的形状复制到所述绝缘膜的背面。

9.根据权利要求8所述的固体拍摄装置的制造方法，其特征在于，

通过将所述槽的形状复制到所述绝缘膜的背面，在所述绝缘膜的背面形成多个光聚光部，所述光聚光部具有：相对于所述半导体基板的表面平行的平面部；以及包围该平面部并相对于所述半导体基板的表面倾斜的多个所述倾斜面。

10.根据权利要求8所述的固体拍摄装置的制造方法，其特征在于，

所述光致抗蚀剂膜具有与所述绝缘膜相同的蚀刻速度。

11.根据权利要求8所述的固体拍摄装置的制造方法，其特征在于，

所述掩模的所述非透射区域包括遮挡所述光的第1掩模图形，并且所述掩模的所述透射区域包括多个第2掩模图形，该多个第2掩模图形分别具有比所述第1掩模图形小的面积，

所述多个第2掩模图形，以使得越靠近所述透射区域的中央则光的透射率越高的方式调整了面积以及排列密度地设置。

12.根据权利要求11所述的固体拍摄装置的制造方法，其特征在于，

所述光受光部以按一定间隔相互分离的方式设置，

所述多个第1掩模图形以按一定间隔相互分离的方式排列。

13.根据权利要求12所述的固体拍摄装置的制造方法，其特征在于，

所述多个第1掩模图形之间的所述槽为Ｖ状的槽。