[发明专利]半导体元件及其制造方法

摘要

本发明是有关于一种半导体元件及其制造方法。该半导体元件包括一基板、多个掺杂条(doping strips)、一记忆材料层、多个导电镶嵌结构(conductive damascene structure)以及一介电结构。掺杂条形成于基板内。记忆材料层形成于基板上，记忆材料层包括一记忆区，记忆区位于掺杂条的两侧。导电镶嵌结构形成于记忆材料层上。介电结构形成于掺杂条上及导电镶嵌结构之间。导电镶嵌结构的延伸方向是垂直于掺杂条的延伸方向。本发明通过应用镶嵌的方式形成导电镶嵌结构，使得各个导电镶嵌结构的宽度值的均匀性提升，导电镶嵌结构之间具有良好的绝缘性，降低了字线之间短路的机率，提升了记忆装置的可靠性。

主权项

一种半导体元件，其特征在于其包括：一基板；多个掺杂条，形成于该基板内；金属硅化物层，形成于掺杂条上；一记忆材料层，形成于该基板上，该记忆材料层包括位于该些掺杂条的两侧的一记忆区；多个导电镶嵌结构，形成于该记忆材料层上；以及一介电结构，形成于该些掺杂条上及该些导电镶嵌结构之间；其中该些导电镶嵌结构的延伸方向是垂直于该些掺杂条的延伸方向；还包括多个导电层，形成于该些导电镶嵌结构和该记忆材料层之间，该些导电镶嵌结构的宽度是小于该些导电层的宽度。