[发明专利]半导体装置及其占空比校正方法有效
申请号: | 201310198833.9 | 申请日: | 2013-05-24 |
公开(公告)号: | CN103856187B | 公开(公告)日: | 2018-04-20 |
发明(设计)人: | 徐荣锡 | 申请(专利权)人: | 爱思开海力士有限公司 |
主分类号: | H03K3/017 | 分类号: | H03K3/017;H03L7/08 |
代理公司: | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙)11363 | 代理人: | 俞波,周晓雨 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供一种半导体装置,包括占空比校正块和延迟锁定环。占空比校正块通过校正内部时钟的占空比来产生占空校正时钟、当延迟锁定环被复位时调整占空校正时钟的上升沿的相位、以及当延迟锁定环被锁定时调整占空校正时钟的下降沿的相位。延迟锁定环接收外部时钟以输出内部时钟,以及在占空比校正块调整占空校正时钟的上升沿的相位完成时将外部时钟延迟可变延迟量以输出内部时钟。 | ||
搜索关键词: | 半导体 装置 及其 校正 方法 | ||
【主权项】:
一种半导体装置的占空比校正方法,包括以下步骤:第一占空比校正步骤:当通过校正外部时钟的占空比而产生占空校正时钟时,调整所述占空校正时钟的上升沿的相位;延迟锁定步骤:响应于第一占空比校正结束信号,将所述外部时钟延迟可变延迟量,并且产生锁定的DLL时钟;以及第二占空比校正步骤:响应于DLL锁定信号,调整所述占空校正时钟的下降沿的相位,其中,当对所述占空校正时钟的上升沿的相位的调整完成时,所述第一占空比校正步骤产生所述第一占空比校正结束信号,以及当外部时钟的相位与反馈时钟的相位一致时,所述延迟锁定步骤产生DLL锁定信号。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于爱思开海力士有限公司,未经爱思开海力士有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201310198833.9/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:车辆的驾驶辅助控制装置
- 下一篇:自动制面包机