[发明专利]碳化硅半导体装置有效
| 申请号： | 201310191318.8 | 申请日： | 2013-05-22 |
| 公开（公告）号： | CN103681783A | 公开（公告）日： | 2014-03-26 |
| 发明（设计）人： | 木谷刚;樽井阳一郎 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/872 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 何立波;张天舒 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的目的在于提供以少的离子注入次数实现足够的耐压的碳化硅半导体装置。本发明包括：碳化硅漂移层(1)，形成于碳化硅衬底(10)上；P型区域(2)，形成于碳化硅漂移层(1)表层；肖特基电极(3)，与P型区域(2)的形成部位对应地形成于碳化硅漂移层(1)上。而且P型区域(2)通过排列多个作为P型杂质的分布的重复单位的单位单元(20)而形成。另外各单位单元(20)至少具有P型杂质以第一浓度分布的第一分布区域(20A)和P型杂质以比第一浓度高的第二浓度分布的第二分布区域(20B)。 | ||
| 搜索关键词： | 碳化硅 半导体 装置 | ||
【主权项】：
一种碳化硅半导体装置，其特征在于包括：第一导电型的碳化硅漂移层，形成于第一导电型的碳化硅衬底上；第二导电型区域，形成于所述碳化硅漂移层表层；以及肖特基电极，与所述第二导电型区域的形成部位对应地形成于所述碳化硅漂移层上，所述第二导电型区域通过排列多个作为第二导电型杂质的分布的重复单位的单位单元而形成，各所述单位单元至少具有所述第二导电型杂质以第一浓度分布的第一分布区域、和所述第二导电型杂质以比所述第一浓度高的第二浓度分布的第二分布区域。
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