[发明专利]铜互连结构及其形成方法有效
| 申请号： | 201310181024.7 | 申请日： | 2013-05-16 |
| 公开（公告）号： | CN103426862B | 公开（公告）日： | 2017-04-26 |
| 发明（设计）人： | D·C·埃德尔斯坦;T·诺加米;C·帕克斯;T-L·泰 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L23/532 | 分类号： | H01L23/532;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所11256 | 代理人： | 王茂华,张宁 |
| 地址： | 美国纽*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明的实施例涉及铜互连结构及其形成方法。一种具有提高的电迁移抗性的结构和用于制作该结构的方法。一种具有提高的电迁移抗性的结构包括具有双层盖和电介质覆盖层的本体互连。该双层盖包括底部金属部分和顶部金属氧化物部分。优选地，金属氧化物部分是MnO或MnSiO并且金属部分是Mn或CuMn。该结构通过用(在优选实施例中为Mn的)杂质掺杂互连，然后在互连的顶部部分创造晶格缺陷。缺陷将增加的杂质迁移驱向互连的定表面。在形成电介质覆盖层时，部分与分凝的杂质反应，从而在互连上形成双层。Cu表面的晶格缺陷可以通过等离子处理、离子注入、压缩薄膜或其他手段来创造。 | ||
| 搜索关键词： | 互连 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种互连结构，包括：金属氧化物部分；金属部分；以及具有顶部区域的本体导体部分；其中所述金属部分在所述顶部区域处并且所述金属氧化物部分在所述金属部分上方，其中所述本体导体在所述顶部区域具有形成的晶格缺陷。
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