[发明专利]形成具有提升式源极和漏极区的半导体设备的方法及对应的半导体设备无效
| 申请号： | 201310164767.3 | 申请日： | 2013-05-07 |
| 公开（公告）号： | CN103390586A | 公开（公告）日： | 2013-11-13 |
| 发明（设计）人： | J·亨治尔;S·拜尔;O·卡伦西;S·弗莱克豪斯基 | 申请（专利权）人： | 格罗方德半导体公司 |
| 主分类号： | H01L21/8238 | 分类号： | H01L21/8238;H01L21/336;H01L27/092;H01L29/78;H01L29/08 |
| 代理公司： | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人： | 程伟;王锦阳 |
| 地址： | 英属开曼群*** | 国省代码： | 开曼群岛;KY |
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| 摘要： | 本发明涉及形成具有提升式源极和漏极区的半导体设备的方法及对应的半导体设备，所述形成具有提升式源极和漏极区的半导体设备是通过：形成柵极电极结构于半导体基板上，形成在该柵极电极结构旁边的第一间隔体结构，在该柵极电极结构两侧形成于该半导体基板的暴露表面上方的半导体层结构借此形成对于该半导体基板的该暴露表面向该柵极电极下斜的层部，以及形成于该第一间隔体结构上方的第二间隔体结构，其中该第二间隔体结构覆盖该下斜层部的至少一部分。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 具有 提升 式源极 漏极区 半导体设备 方法 对应 | ||
【主权项】：
一种用于形成具有提升式源极和漏极区的半导体设备的方法，该方法包括：形成柵极电极于半导体基板上；形成配置于该柵极电极旁边的第一间隔体结构；在该柵极电极两侧形成于该半导体基板的暴露表面上方的半导体层，借此形成对于该半导体基板的该暴露表面向该柵极电极下斜的层部；以及形成于该第一间隔体结构上方的第二间隔体结构，其中，该第二间隔体结构覆盖该下斜层部的至少一部分。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
