[发明专利]半导体封装件及其形成方法

摘要

本发明涉及半导体封装件及其形成方法。在一个实施例中，半导体封装件包括在第一主表面上具有第一接触区域和在相对的第二主表面上具有第二接触区域的半导体芯片。该半导体芯片被构造成调节从第一接触区域至第二接触区域的电流。封装剂设置在半导体芯片处。第一接触插塞设置在封装剂内并且联接至第一接触区域。第二侧导电层设置在第二主表面下方并且耦接至第二接触区域。通孔设置在封装剂内并耦接至第二侧导电层。第一接触插塞和通孔在第一主表面上方形成用于接触半导体封装件的端子。

主权项

一种形成半导体封装件的方法，所述方法包括：将多个半导体芯片设置在载体上方，所述多个半导体芯片中的每个具有位于第一侧和相对的第二侧上的第一侧接触区域，所述多个半导体芯片中的每个具有邻近所述第一侧的活性区域，其中，所述第二侧面向所述载体；通过在所述多个半导体芯片和所述载体处施加封装剂来形成再造晶片；在所述封装剂中形成穿透开口和接触开口；通过用导电填充材料填充所述穿透开口和所述接触开口来形成第一接触焊垫和第二接触焊垫；以及通过使所述再造晶片单一化来形成独立封装件，其中，所述多个半导体芯片包括被构造成调节从所述第一侧朝向所述第二侧的方向上的电流的芯片。